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FDN357N - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FDN357N

Hersteller Teil #: FDN357N

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3

Verpackung: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FDN357N Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Factory Lead Time

10 Weeks

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Number of Pins

Weight

30mg

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.9A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

500mW Ta

Turn Off Delay Time

12 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 250μA

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Published

1998

JESD-609 Code

Pbfree Code

yes

Part Status

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

Termination

SMD/SMT

ECCN Code

EAR99

Resistance

60MOhm

Terminal Finish

Tin (Sn)

Additional Feature

LOGIC LEVEL COMPATIBLE

Voltage - Rated DC

30V

Terminal Position

DUAL

Terminal Form

GULL WING

Current Rating

1.9A

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

500mW

Turn On Delay Time

5 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60m Ω @ 2.2A, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

235pF @ 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.9nC @ 5V

Rise Time

12ns

Vgs (Max)

±20V

Fall Time (Typ)

12 ns

Continuous Drain Current (ID)

1.9A

Threshold Voltage

1.6V

Gate to Source Voltage (Vgs)

20V

Drain to Source Breakdown Voltage

30V

Dual Supply Voltage

30V

Nominal Vgs

1.6 V

Min Breakdown Voltage

30V

Height

940μm

Length

2.92mm

Width

3.05mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
FDN357N	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3
NDS355AN	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SuperSOT T/R
FDN358P	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	30V P-CH. FET, 125 MO, SSOT3
BSS306NH6327XTSA1	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
FDN360P	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3

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What is the function of enhancement mode transistor?

This is why this kind of transistor is called an enhancement mode device as the application of a gate voltage enhances the channel. Increasing this positive gate voltage will cause the channel resistance to decrease further causing an increase in the drain current, ID through the channel.

What is a channel in MOSFET?

The N-Channel MOSFET has an N- channel region located in between the source and drain terminals. It is a four-terminal device having the terminals as gate, drain, source, body. In this type of Field Effect Transistor, the drain and source are heavily doped n+ region and the substrate or body are of P-type.

What is N-channel enhancement mode?

In n-channel enhancement mode, no current flows through the transistor until the voltage at the gate and terminal source exceed the minimum voltage cut in value. If the voltage at the drain and the terminal source is applied then even there is no evident flow of the current.

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3

Verpackung: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 24000 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 0.62704

Menge.	Stückpreis
1+:	$0.62704
10+:	$0.59154
100+:	$0.55806
500+:	$0.52647
1000+:	$0.49667

Zwischensumme: $0.62704

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