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FDN302P - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FDN302P

Hersteller Teil #: FDN302P

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3

Verpackung: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FDN302P Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

Factory Lead Time

10 Weeks

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Number of Pins

Weight

30mg

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.4A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

500mW Ta

Turn Off Delay Time

25 ns

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Series

PowerTrench®

Published

2000

JESD-609 Code

Pbfree Code

yes

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

Termination

SMD/SMT

ECCN Code

EAR99

Resistance

55mOhm

Terminal Finish

Tin (Sn)

Voltage - Rated DC

-20V

Terminal Position

DUAL

Terminal Form

GULL WING

Current Rating

-2.4A

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

500mW

Turn On Delay Time

13 ns

FET Type

P-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55m Ω @ 2.4A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

882pF @ 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Rise Time

11ns

Vgs (Max)

±12V

Fall Time (Typ)

11 ns

Continuous Drain Current (ID)

-2.4A

Threshold Voltage

-1V

Gate to Source Voltage (Vgs)

12V

Drain to Source Breakdown Voltage

-20V

Dual Supply Voltage

-20V

Nominal Vgs

-1 V

Min Breakdown Voltage

20V

Height

940μm

Length

2.92mm

Width

1.4mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
FDN302P	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3
FDN342P	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3
IRLML2246TRPBF	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23
FDN304PZ	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT-3
FDN371N	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 3-Pin SuperSOT T/R

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What is a P channel Mosfet?

P-Channel MOSFET is a classification of Metal Oxide Semiconductor Device. This consists of the n-substrate in the middle with light doping concentration. These are the three terminals devices. It possesses uni-polar characteristics because its operation is dependent on the majority of the charge carriers.

What is P and N in MOSFET?

Then the P-channel MOSFET is used to switch the positive supply to the motor for forward direction (high-side switching) while the N-channel MOSFET is used to switch the negative supply to the motor for reverse direction (low-side switching).

What is P substrate in MOSFET?

The metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) is one of the cornerstones of modern semiconductor technology. The general structure is a lightly doped p-type substrate, into which two regions, the source and the drain, both of heavily doped n-type semiconductor have been embedded.

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3

Verpackung: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

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Datenblatt

Lagerbestand: 31593 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 0.75443

Menge.	Stückpreis
1+:	$0.75443
10+:	$0.71172
100+:	$0.67144
500+:	$0.63343
1000+:	$0.59758

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