NTE4153NT1G - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-NTE4153NT1G
Hersteller Teil #: NTE4153NT1G
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 915MA SC-89
Verpackung: SC-89, SOT-490
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Factory Lead Time  
4 Weeks
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
SC-89, SOT-490
Surface Mount  
YES
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
915mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
1.5V 4.5V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
300mW Tj
Turn Off Delay Time  
25 ns
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Published  
2006
JESD-609 Code  
e3
Pbfree Code  
yes
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
3
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
230MOhm
Terminal Finish  
Tin (Sn)
Voltage - Rated DC  
20V
Terminal Position  
DUAL
Terminal Form  
FLAT
Peak Reflow Temperature (Cel)  
260
Current Rating  
915mA
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
40
Pin Count  
3
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
300mW
Turn On Delay Time  
3.7 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
230m Ω @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id  
1.1V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
110pF @ 16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
1.82nC @ 4.5V
Rise Time  
4.4ns
Vgs (Max)  
±6V
Fall Time (Typ)  
4.4 ns
Continuous Drain Current (ID)  
915mA
Threshold Voltage  
760mV
Gate to Source Voltage (Vgs)  
6V
Drain to Source Breakdown Voltage  
20V
Nominal Vgs  
760 mV
Height  
800μm
Length  
1.7mm
Width  
950μm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:NTE4153NT1G Enthaltenes Wort ist 4
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
NTE4153NT1G SC-89, SOT-490 MOSFET N-CH 20V 915MA SC-89
NTA4151PT1G SC-75, SOT-416 MOSFET P-CH 20V 0.76A SOT-416
NTA4153NT1G SC-75, SOT-416 MOSFET N-CH 20V 915MA SOT-416
NTA4153NT1 SC-75, SOT-416 MOSFET N-CH 20V 915MA SOT-416
Verwandte Teile in NTE4153NT1G
NTE4153NT1G Verwandtes Stichwort.
  • NTE4153NT1G Preis
  • NTE4153NT1G Verteilers
  • NTE4153NT1G Hersteller
  • NTE4153NT1G Technische Daten
  • NTE4153NT1G PDF
  • NTE4153NT1G Datenblätter
  • NTE4153NT1G Bild
  • NTE4153NT1G Foto
  • NTE4153NT1G Teil
  • NTE4153NT1G Lagerbestand
  • NTE4153NT1G Inventar
  • NTE4153NT1G Angebotsanfrage
  • Kaufen NTE4153NT1G
  • NTE4153NT1G Anfrage
  • NTE4153NT1G Onlinebestellung
Häufig gestellte Fragen

What is MOSFET in simple words?

MOSFET stands for metal-oxide-semiconductor field-effect transistor. It is a field-effect transistor with a MOS structure. Typically, the MOSFET is a three-terminal device with gate (G), drain (D) and source (S) terminals.

What is MOSFET and its types?

There are two types of MOSFET and they are named: N-type or P-type. BJT is of two types and they are named as: PNP and NPN. MOSFET is a voltage-controlled device. BJT is a current-controlled device. The input resistance of MOSFET is high.

What is MOSFET structure?

It is a four-terminal device with source (S), drain (D) and gate Terminal (G) and body (B) terminals. The body is frequently connected to the source terminal, reducing the terminals to three. It works by varying the width of a channel along which charge carriers flow (electrons or holes).

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 915MA SC-89
Verpackung: SC-89, SOT-490
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 69000 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 0.37989
Menge. Stückpreis
1+: $0.37989
10+: $0.35838
100+: $0.33810
500+: $0.31896
1000+: $0.30091
Zwischensumme: $0.37989

Sie haben nicht den gewünschten Preis?
Füllen Sie die Formulare aus und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Zahlungsmethode

Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Bei einer Überweisung fallen US$30,00 Bankgebühren an.
Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Western Union erhebt eine Bankgebühr von US$0.00.

VERSANDKOSTEN

DHL(www.dhl.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
UPS(www.ups.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
FedEx(www.fedex.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
Einschreiben(www.singpost.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

Paket

Schritt1 Produkt
Schritt2 Gehäuse Drivepipe
Schritt3 Antistatikbeutel
Schritt4 Verpackungskartons
Schritt5 Barcode-Versandetikett

Neueste Produkte


Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC333A-A
Analog Devices Inc.
DC333A-A
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC644A
Analog Devices Inc.
LT5520EUF UPCON MIXER DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC945A
Analog Devices Inc.
LT5572EUF DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC1431A-C
Analog Devices Inc.
LTC5542IUH DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S12010PM
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO247AC
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S6504Z
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 650V 15.45A 8DFN
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G4S06516BT
Global Power Technology-GPT
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 16A 3-PI
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G3S06520A
Global Power Technology-GPT
DIODE SIC 650V 56.5A TO220AC
Mehr erfahren