NDS331N - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-NDS331N
Hersteller Teil #: NDS331N
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SuperSOT T/R
Verpackung: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
10 Weeks
Package / Case  
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Number of Pins  
3
Weight  
30mg
Transistor Element Material  
SILICON
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
500mW Ta
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
1.3A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
2.7V 4.5V
Turn Off Delay Time  
10 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
1V @ 250μA
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Published  
1998
JESD-609 Code  
e3
Pbfree Code  
yes
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
3
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
160mOhm
Terminal Finish  
Tin (Sn)
Voltage - Rated DC  
20V
Terminal Position  
DUAL
Terminal Form  
GULL WING
Current Rating  
1.3A
Number of Channels  
1
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
500mW
Turn On Delay Time  
5 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
160m Ω @ 1.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
162pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
5nC @ 4.5V
Rise Time  
25ns
Vgs (Max)  
±8V
Fall Time (Typ)  
5 ns
Continuous Drain Current (ID)  
1.3A
Threshold Voltage  
700mV
Gate to Source Voltage (Vgs)  
8V
Drain to Source Breakdown Voltage  
20V
Max Junction Temperature (Tj)  
150°C
Nominal Vgs  
700 mV
Height  
1.22mm
Length  
2.92mm
Width  
1.4mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:NDS331N Enthaltenes Wort ist 5
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
NDS331N TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SuperSOT T/R
FDN336P TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SuperSOT T/R
FDN338P TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ON SEMICONDUCTOR - FDN338P - Power MOSFET, P Channel, 20 V, 1.6 A, 0.088 ohm, SuperSOT, Surface Mount
NDS336P TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET P-CH 20V 1.2A SSOT3
PMV170UN,215 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET N-CH 20V 1A TO-236AB
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Häufig gestellte Fragen

What proprietary technology makes N-Channel logic level enhancement mode power field effect transistors?

Fairchilds

What is the high density process specifically designed to do?

minimize on-state resistance

Where are these N-Channel logic level enhancement mode power field effect transistors particularly suited for low voltage applications?

notebook computers, portable phones, PCMCIA cards, and other battery powered circuits

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SuperSOT T/R
Verpackung: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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