FDS4465 - ON Semiconductor

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Kynix Teil #: KY13-FDS4465
Hersteller Teil #: FDS4465
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: In a Pack of 5, FDS4465 P-Channel MOSFET, 13.5 A, 20 V, 8-Pin SOIC ON Semiconductor
Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Factory Lead Time  
18 Weeks
Contact Plating  
Tin
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Number of Pins  
8
Weight  
130mg
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
13.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
1.8V 4.5V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
2.5W Ta
Turn Off Delay Time  
300 ns
Operating Temperature  
-55°C~175°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
PowerTrench®
Published  
2003
JESD-609 Code  
e4
Pbfree Code  
yes
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
8
Termination  
SMD/SMT
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
8.5MOhm
Terminal Finish  
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Voltage - Rated DC  
-20V
Terminal Position  
DUAL
Terminal Form  
GULL WING
Current Rating  
-13.5A
Number of Channels  
1
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
2.5W
Turn On Delay Time  
20 ns
FET Type  
P-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
8.5m Ω @ 13.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id  
1.5V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
8237pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
120nC @ 4.5V
Rise Time  
24ns
Drain to Source Voltage (Vdss)  
20V
Vgs (Max)  
±8V
Fall Time (Typ)  
140 ns
Continuous Drain Current (ID)  
13.5A
Threshold Voltage  
-600mV
Gate to Source Voltage (Vgs)  
8V
Drain to Source Breakdown Voltage  
-20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
50A
Dual Supply Voltage  
-20V
Max Junction Temperature (Tj)  
175°C
Nominal Vgs  
-600 mV
Height  
1.75mm
Length  
5mm
Width  
4mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
FDS4465 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) In a Pack of 5, FDS4465 P-Channel MOSFET, 13.5 A, 20 V, 8-Pin SOIC ON Semiconductor
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Häufig gestellte Fragen

What is the basic principle of MOSFET?

When voltage is applied to the gate, an electrical field is generated that changes the width of the channel region, where the electrons flow. The wider the channel region, the better conductivity of a device will be.

What is difference between BJT and MOSFET?

There are many differences between the MOSFET and BJT. The MOSFET (voltage controlled) is a metal-oxide semiconductor whereas the BJT (current controlled) is a bipolar junction transistor.

What is difference between IGBT and MOSFET?

IGBT is a three terminal semiconductor switching device used in the electronic circuits for switching and amplification of signals. MOSFET is a four terminal semiconductor switching device which is also used as switching and amplification. IGBT has three terminals, which are: emitter (E), gate (G) and collector (C).2022

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: In a Pack of 5, FDS4465 P-Channel MOSFET, 13.5 A, 20 V, 8-Pin SOIC ON Semiconductor
Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 10200 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 1.58486
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