FDMC8878 - ON Semiconductor

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Kynix Teil #: KY13-FDMC8878
Hersteller Teil #: FDMC8878
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9.6A POWER33
Verpackung: 8-PowerWDFN
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Factory Lead Time  
23 Weeks
Contact Plating  
Gold
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
8-PowerWDFN
Number of Pins  
8
Weight  
180mg
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
9.6A Ta 16.5A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
4.5V 10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
2.1W Ta 31W Tc
Turn Off Delay Time  
20 ns
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
PowerTrench®
Published  
2006
JESD-609 Code  
e4
Pbfree Code  
yes
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
5
Termination  
SMD/SMT
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
14MOhm
Terminal Position  
DUAL
Terminal Form  
NO LEAD
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
JESD-30 Code  
S-PDSO-N5
Qualification Status  
Not Qualified
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
2.1W
Case Connection  
DRAIN
Turn On Delay Time  
8 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
14m Ω @ 9.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
3V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
1230pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
26nC @ 10V
Rise Time  
4ns
Vgs (Max)  
±20V
Fall Time (Typ)  
3 ns
Continuous Drain Current (ID)  
9.6A
Threshold Voltage  
1.7V
Gate to Source Voltage (Vgs)  
20V
Drain to Source Breakdown Voltage  
30V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
60A
Dual Supply Voltage  
30V
Nominal Vgs  
1.7 V
Height  
950μm
Length  
3mm
Width  
3mm
REACH SVHC  
No SVHC
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:FDMC8878 Enthaltenes Wort ist 5
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
FDMC8878 8-PowerWDFN MOSFET N-CH 30V 9.6A POWER33
FDS6690A 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) ON SEMICONDUCTOR - FDS6690A - Power MOSFET, N Channel, 30 V, 11 A, 0.0125 ohm, SOIC, Surface Mount
FDS6690AS 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
IRF8707TRPBF 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
FDS6680AS 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
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Häufig gestellte Fragen

What company manufactures the N-Channel MOSFET?

Fairchild Semiconductor

What process is used to produce the N-Channel MOSFET?

PowerTrench®

What is a Point of Load switch?

High Efficiency Load Switch and Low Side Switching

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9.6A POWER33
Verpackung: 8-PowerWDFN
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 52800 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 2.27056
Menge. Stückpreis
1+: $2.27056
10+: $2.14203
100+: $2.02079
500+: $1.90640
1000+: $1.79849
Zwischensumme: $2.27056

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