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STN4NF03L - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STN4NF03L

Hersteller Teil #: STN4NF03L

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223

Verpackung: TO-261-4, TO-261AA

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

STN4NF03L Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Factory Lead Time

12 Weeks

Contact Plating

Tin

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Number of Pins

Weight

4.535924g

Transistor Element Material

SILICON

Manufacturer Package Identifier

SOT-223-P008

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

3.3W Tc

Turn Off Delay Time

35 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1V @ 250μA

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Series

STripFET™ II

JESD-609 Code

Part Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Resistance

50mOhm

Additional Feature

LOW THRESHOLD

Voltage - Rated DC

30V

Terminal Position

DUAL

Terminal Form

GULL WING

Peak Reflow Temperature (Cel)

260

Current Rating

6.5A

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

Base Part Number

STN4N

Number of Channels

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

3.3W

Case Connection

DRAIN

Turn On Delay Time

11 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50m Ω @ 2A, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 25V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 10V

Rise Time

100ns

Vgs (Max)

±16V

Fall Time (Typ)

22 ns

Continuous Drain Current (ID)

6.5A

Threshold Voltage

Gate to Source Voltage (Vgs)

16V

Drain Current-Max (Abs) (ID)

Drain to Source Breakdown Voltage

30V

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

26A

Max Junction Temperature (Tj)

150°C

Height

1.8mm

Length

6.5mm

Width

3.5mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
STN4NF03L	TO-261-4, TO-261AA	MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223
IRLL3303TRPBF	TO-261-4, TO-261AA	MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
ZXMP3A16GTA	TO-261-4, TO-261AA	MOSFET P-CH 30V 4.6A SOT223
FDT459N	TO-261-4, TO-261AA	Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
NDT451AN	TO-261-4, TO-261AA	MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4

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What is the latest development of?

STMicroelectronics

What does the resulting transistor show for low on-resistance, rugged avalance characteristics and less critical alignment steps?

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What type of RECTIFICATION does the Power Mosfet have?

SYNCHRONOUS

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223

Verpackung: TO-261-4, TO-261AA

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 12000 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 1.12249

Menge.	Stückpreis
1+:	$1.12249
10+:	$1.05896
100+:	$0.99901
500+:	$0.94247
1000+:	$0.88912

Zwischensumme: $1.12249

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