FDV303N - ON Semiconductor

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Kynix Teil #: KY13-FDV303N
Hersteller Teil #: FDV303N
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
Verpackung: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
ACTIVE (Last Updated: 16 hours ago)
Factory Lead Time  
10 Weeks
Contact Plating  
Tin
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
680mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
2.7V 4.5V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
350mW Ta
Turn Off Delay Time  
17 ns
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Published  
1997
JESD-609 Code  
e3
Pbfree Code  
yes
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
3
Termination  
SMD/SMT
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
450mOhm
Terminal Finish  
TIN
Voltage - Rated DC  
25V
Terminal Position  
DUAL
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
260
Current Rating  
680mA
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
30
Number of Channels  
1
Voltage  
20V
Element Configuration  
Single
Current  
12A
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
350mW
Turn On Delay Time  
3 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
450m Ω @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id  
1.5V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
50pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
2.3nC @ 4.5V
Rise Time  
8.5ns
Vgs (Max)  
±8V
Fall Time (Typ)  
8.5 ns
Continuous Drain Current (ID)  
680mA
Threshold Voltage  
800mV
Gate to Source Voltage (Vgs)  
8V
Drain to Source Breakdown Voltage  
25V
Dual Supply Voltage  
25V
Max Junction Temperature (Tj)  
150°C
Nominal Vgs  
800 mV
Height  
1.11mm
Length  
2.92mm
Width  
3.05mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:FDV303N Enthaltenes Wort ist 5
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
FDV303N TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
FDV304P TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ON SEMICONDUCTOR - FDV304P - Power MOSFET, P Channel, 25 V, 460 mA, 1.22 ohm, SOT-23, Surface Mount
FDV302P TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
DMN2300U-7 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23,3K
FDV301N TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23
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Häufig gestellte Fragen

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
Verpackung: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 45000 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 0.25627
Menge. Stückpreis
1+: $0.25627
10+: $0.24176
100+: $0.22808
500+: $0.21517
1000+: $0.20299
Zwischensumme: $0.25627

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