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NTA4153NT1G - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-NTA4153NT1G

Hersteller Teil #: NTA4153NT1G

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 915MA SOT-416

Verpackung: SC-75, SOT-416

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

NTA4153NT1G Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

Factory Lead Time

5 Weeks

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

SC-75, SOT-416

Surface Mount

YES

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

915mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V 4.5V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

300mW Tj

Turn Off Delay Time

25 ns

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Published

2005

JESD-609 Code

Pbfree Code

yes

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Resistance

127mOhm

Terminal Finish

Tin (Sn)

Voltage - Rated DC

20V

Terminal Position

DUAL

Terminal Form

GULL WING

Current Rating

915mA

Pin Count

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

300mW

Turn On Delay Time

3.7 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

230m Ω @ 600mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.1V @ 250μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 16V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.82nC @ 4.5V

Rise Time

4.4ns

Vgs (Max)

±6V

Fall Time (Typ)

4.4 ns

Continuous Drain Current (ID)

915mA

Threshold Voltage

760mV

Gate to Source Voltage (Vgs)

Drain to Source Breakdown Voltage

20V

Nominal Vgs

760 mV

Height

800μm

Length

800μm

Width

1.6mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
NTA4153NT1G	SC-75, SOT-416	MOSFET N-CH 20V 915MA SOT-416
NTA4151PT1G	SC-75, SOT-416	MOSFET P-CH 20V 0.76A SOT-416
NTE4153NT1G	SC-89, SOT-490	MOSFET N-CH 20V 915MA SC-89
NTA4151PT1	SC-75, SOT-416	MOSFET P-CH 20V 0.76A SOT-416

NTA4153NT1G Preis
NTA4153NT1G Verteilers
NTA4153NT1G Hersteller
NTA4153NT1G Technische Daten
NTA4153NT1G PDF
NTA4153NT1G Datenblätter
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NTA4153NT1G Foto
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What is ESD in MOSFET?

Depending on the energy of the pulse, electrostatic discharge (ESD) may cause either catastrophic failure (gate-oxide breakdown) or non-catastrophic damage (degradation) of power MOSFETs.

What are N-channel MOSFETs used for?

Then the P-channel MOSFET is used to switch the positive supply to the motor for forward direction (high-side switching) while the N-channel MOSFET is used to switch the negative supply to the motor for reverse direction (low-side switching).

Are MOSFETs ESD sensitive?

For MOSFETs, the gate oxide is extremely thin resulting in varying degrees of ESD sensitivity. The electric field (E) across the gate oxide thickness (tox) when a voltage (V) is applied is given by E = V/tox. For smaller tox, the electric field E can exceed the breakdown fields for relatively small voltages.

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 915MA SOT-416

Verpackung: SC-75, SOT-416

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

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Datenblatt

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Menge.	Stückpreis
1+:	$0.19336
10+:	$0.18241
100+:	$0.17209
500+:	$0.16235
1000+:	$0.15316

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