NTA4153NT1G - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-NTA4153NT1G
Hersteller Teil #: NTA4153NT1G
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 915MA SOT-416
Verpackung: SC-75, SOT-416
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
5 Weeks
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
SC-75, SOT-416
Surface Mount  
YES
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
915mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
1.5V 4.5V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
300mW Tj
Turn Off Delay Time  
25 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
1.1V @ 250μA
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Published  
2005
JESD-609 Code  
e3
Pbfree Code  
yes
Part Status  
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
3
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
127mOhm
Terminal Finish  
Tin (Sn)
Voltage - Rated DC  
20V
Terminal Position  
DUAL
Terminal Form  
GULL WING
Current Rating  
915mA
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
300mW
Turn On Delay Time  
3.7 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
230m Ω @ 600mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
110pF @ 16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
1.82nC @ 4.5V
Rise Time  
4.4ns
Vgs (Max)  
±6V
Fall Time (Typ)  
4.4 ns
Continuous Drain Current (ID)  
915mA
Threshold Voltage  
760mV
Gate to Source Voltage (Vgs)  
6V
Drain to Source Breakdown Voltage  
20V
Nominal Vgs  
760 mV
Height  
800μm
Length  
800μm
Width  
1.6mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
NTA4153NT1G SC-75, SOT-416 MOSFET N-CH 20V 915MA SOT-416
NTA4151PT1G SC-75, SOT-416 MOSFET P-CH 20V 0.76A SOT-416
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Häufig gestellte Fragen

What is ESD in MOSFET?

Depending on the energy of the pulse, electrostatic discharge (ESD) may cause either catastrophic failure (gate-oxide breakdown) or non-catastrophic damage (degradation) of power MOSFETs.

What are N-channel MOSFETs used for?

Then the P-channel MOSFET is used to switch the positive supply to the motor for forward direction (high-side switching) while the N-channel MOSFET is used to switch the negative supply to the motor for reverse direction (low-side switching).

Are MOSFETs ESD sensitive?

For MOSFETs, the gate oxide is extremely thin resulting in varying degrees of ESD sensitivity. The electric field (E) across the gate oxide thickness (tox) when a voltage (V) is applied is given by E = V/tox. For smaller tox, the electric field E can exceed the breakdown fields for relatively small voltages.

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 915MA SOT-416
Verpackung: SC-75, SOT-416
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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