FDV302P - ON Semiconductor

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Kynix Teil #: KY13-FDV302P
Hersteller Teil #: FDV302P
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
Verpackung: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
10 Weeks
Contact Plating  
Tin
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Number of Pins  
3
Weight  
30mg
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
120mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
2.7V 4.5V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
350mW Ta
Turn Off Delay Time  
9 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
1.5V @ 250μA
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Published  
1997
JESD-609 Code  
e3
Pbfree Code  
yes
Part Status  
ACTIVE (Last Updated: 16 hours ago)
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
3
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
13Ohm
Additional Feature  
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Voltage - Rated DC  
-25V
Terminal Position  
DUAL
Terminal Form  
GULL WING
Current Rating  
-120mA
Number of Channels  
1
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
350mW
Turn On Delay Time  
5 ns
FET Type  
P-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
10 Ω @ 200mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
11pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
0.31nC @ 4.5V
Rise Time  
8ns
Drain to Source Voltage (Vdss)  
25V
Vgs (Max)  
±8V
Fall Time (Typ)  
8 ns
Continuous Drain Current (ID)  
120mA
Threshold Voltage  
-1V
Gate to Source Voltage (Vgs)  
-8V
Drain to Source Breakdown Voltage  
-25V
Dual Supply Voltage  
-25V
Max Junction Temperature (Tj)  
150°C
Nominal Vgs  
-1 V
Height  
1.11mm
Length  
2.92mm
Width  
1.3mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:FDV302P Enthaltenes Wort ist 5
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
FDV302P TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
FDV304P TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ON SEMICONDUCTOR - FDV304P - Power MOSFET, P Channel, 25 V, 460 mA, 1.22 ohm, SOT-23, Surface Mount
DMN2004K-7 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3
FDV303N TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
FDV301N TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23
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Häufig gestellte Fragen

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
Verpackung: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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