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FDB3632 - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FDB3632

Hersteller Teil #: FDB3632

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: ON SEMICONDUCTOR - FDB3632 - Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.009 ohm, TO-263AB, Surface Mount

Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FDB3632 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)

Factory Lead Time

8 Weeks

Contact Plating

Tin

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Number of Pins

Weight

1.31247g

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Ta 80A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

310W Tc

Turn Off Delay Time

96 ns

Operating Temperature

-55°C~175°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Series

PowerTrench®

Published

2013

JESD-609 Code

Pbfree Code

yes

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

Termination

SMD/SMT

ECCN Code

EAR99

Resistance

9MOhm

Voltage - Rated DC

100V

Terminal Form

GULL WING

Current Rating

44A

JESD-30 Code

R-PSSO-G2

Number of Channels

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

310W

Case Connection

DRAIN

Turn On Delay Time

30 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9m Ω @ 80A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

6000pF @ 25V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Rise Time

39ns

Vgs (Max)

±20V

Fall Time (Typ)

46 ns

Continuous Drain Current (ID)

80A

Threshold Voltage

Gate to Source Voltage (Vgs)

20V

Drain to Source Breakdown Voltage

100V

Dual Supply Voltage

100V

Max Junction Temperature (Tj)

175°C

Nominal Vgs

4 V

Height

5.08mm

Length

10.67mm

Width

9.65mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
FDB3632	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	ON SEMICONDUCTOR - FDB3632 - Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.009 ohm, TO-263AB, Surface Mount
FDB045AN08A0	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
AUIRFS4410Z	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
AUIRFS4310TRL	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
IRFS4410ZTRLPBF	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK

FDB3632 Preis
FDB3632 Verteilers
FDB3632 Hersteller
FDB3632 Technische Daten
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: ON SEMICONDUCTOR - FDB3632 - Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.009 ohm, TO-263AB, Surface Mount

Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 100 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 4.73310

Menge.	Stückpreis
1+:	$4.73310
10+:	$4.46519
100+:	$4.21244
500+:	$3.97400
1000+:	$3.74906

Zwischensumme: $4.73310

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