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STW58N60DM2AG - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STW58N60DM2AG

Hersteller Teil #: STW58N60DM2AG

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 50A

Verpackung: TO-247-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

STW58N60DM2AG Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Factory Lead Time

17 Weeks

Mount

Through Hole

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-247-3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

50A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

360W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 250μA

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tube

Series

Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2

Part Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN Code

EAR99

Peak Reflow Temperature (Cel)

NOT SPECIFIED

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

NOT SPECIFIED

Base Part Number

STW58N

FET Type

N-Channel

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60m Ω @ 25A, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

4100pF @ 100V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Vgs (Max)

±25V

Continuous Drain Current (ID)

50A

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

STW58N60DM2AG Preis
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 50A

Verpackung: TO-247-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 4800 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 8.83835

Menge.	Stückpreis
1+:	$8.83835
10+:	$8.33806
100+:	$7.86610
500+:	$7.42085
1000+:	$7.00080

Zwischensumme: $8.83835

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