STW3N170 - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STW3N170
Hersteller Teil #: STW3N170
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
12 Weeks
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-247-3
Surface Mount  
NO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
2.6A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Power Dissipation (Max)  
160mW
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
5V @ 250μA
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tube
Series  
PowerMESH™
Part Status  
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
ECCN Code  
EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Base Part Number  
STW3N
Configuration  
Single
FET Type  
N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
13 Ω @ 1.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
1100pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
44nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)  
1700V
Vgs (Max)  
±30V
Drain Current-Max (Abs) (ID)  
2.3A
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
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Häufig gestellte Fragen

What is the Creepage distance path for TO-3PF?

5.4 mm

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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