FDB8441 - ON Semiconductor

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Kynix Teil #: KY13-FDB8441
Hersteller Teil #: FDB8441
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Factory Lead Time  
8 Weeks
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins  
2
Weight  
1.31247g
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
28A Ta 120A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
300W Tc
Turn Off Delay Time  
75 ns
Operating Temperature  
-55°C~175°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
PowerTrench®
Published  
2006
JESD-609 Code  
e3
Pbfree Code  
yes
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
Termination  
SMD/SMT
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
2.5MOhm
Terminal Finish  
Tin (Sn)
Voltage - Rated DC  
40V
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Reach Compliance Code  
not_compliant
Current Rating  
80A
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Qualification Status  
Not Qualified
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
300W
Case Connection  
DRAIN
Turn On Delay Time  
23 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
2.5m Ω @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
4V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
15000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
280nC @ 10V
Rise Time  
24ns
Vgs (Max)  
±20V
Fall Time (Typ)  
17.9 ns
Reverse Recovery Time  
52 ns
Continuous Drain Current (ID)  
28A
Threshold Voltage  
2.8V
Gate to Source Voltage (Vgs)  
20V
Drain to Source Breakdown Voltage  
40V
Dual Supply Voltage  
40V
Avalanche Energy Rating (Eas)  
947 mJ
Nominal Vgs  
2.8 V
Height  
4.83mm
Length  
10.67mm
Width  
9.65mm
REACH SVHC  
No SVHC
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:FDB8441 Enthaltenes Wort ist 4
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
FDB8441 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
FDB8832 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
FDB8860 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Trans MOSFET N-CH 30V 31A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
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Häufig gestellte Fragen

What is the maximum temperature rating of MOSFET?

175°C maximum junction temperature rating

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 100000 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 1.31196
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1+: $1.31196
10+: $1.23769
100+: $1.16764
500+: $1.10154
1000+: $1.03919
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