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FDC3601N - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FDC3601N

Hersteller Teil #: FDC3601N

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: ON SEMICONDUCTOR - FDC3601N - Dual MOSFET, Dual N Channel, 1 A, 100 V, 0.5 ohm, 10 V, 2.6 V

Verpackung: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FDC3601N Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Factory Lead Time

5 Weeks

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Number of Pins

Weight

36mg

Transistor Element Material

SILICON

Number of Elements

Turn Off Delay Time

11 ns

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Series

PowerTrench®

JESD-609 Code

Pbfree Code

yes

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Resistance

500MOhm

Terminal Finish

Tin (Sn)

Voltage - Rated DC

100V

Max Power Dissipation

960mW

Terminal Form

GULL WING

Current Rating

Element Configuration

Dual

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

960mW

Turn On Delay Time

8 ns

Power - Max

700mW

FET Type

2 N-Channel (Dual)

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500m Ω @ 1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

153pF @ 50V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 10V

Rise Time

4ns

Fall Time (Typ)

4 ns

Continuous Drain Current (ID)

Threshold Voltage

2.6V

Gate to Source Voltage (Vgs)

20V

Drain Current-Max (Abs) (ID)

Drain to Source Breakdown Voltage

100V

FET Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

FET Feature

Standard

Height

1mm

Length

3mm

Width

1.7mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
FDC3601N	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	ON SEMICONDUCTOR - FDC3601N - Dual MOSFET, Dual N Channel, 1 A, 100 V, 0.5 ohm, 10 V, 2.6 V
ZXMN10A08E6TA	SOT-23-6	Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A Automotive 6-Pin SOT-26 T/R
FDC3612	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin SuperSOT T/R
ZXMN10A08E6TC	SOT-23-6	MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6
ZXMP10A17E6QTA	SOT-23-6	MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: ON SEMICONDUCTOR - FDC3601N - Dual MOSFET, Dual N Channel, 1 A, 100 V, 0.5 ohm, 10 V, 2.6 V

Verpackung: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 30000 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 0.74980

Menge.	Stückpreis
1+:	$0.74980
10+:	$0.70736
100+:	$0.66732
500+:	$0.62955
1000+:	$0.59391

Zwischensumme: $0.74980

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