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FDMC8200 - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FDMC8200

Hersteller Teil #: FDMC8200

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: MOSFET DUAL N-CHANNEL PowerTrench

Verpackung: 8-PowerWDFN

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FDMC8200 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

Factory Lead Time

23 Weeks

Contact Plating

Gold

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

8-PowerWDFN

Number of Pins

Weight

186mg

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A 12A

Number of Elements

Turn Off Delay Time

38 ns

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Series

PowerTrench®

Pbfree Code

yes

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Resistance

20MOhm

Max Power Dissipation

900mW

Terminal Form

NO LEAD

Peak Reflow Temperature (Cel)

NOT SPECIFIED

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

NOT SPECIFIED

Qualification Status

Not Qualified

Element Configuration

Dual

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

2.2W

Case Connection

DRAIN-SOURCE

Power - Max

700mW 900mW

FET Type

2 N-Channel (Dual)

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20m Ω @ 6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 15V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Rise Time

4ns

Fall Time (Typ)

6 ns

Continuous Drain Current (ID)

Threshold Voltage

2.3V

Gate to Source Voltage (Vgs)

20V

Drain Current-Max (Abs) (ID)

Drain to Source Breakdown Voltage

30V

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

40A

FET Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

FET Feature

Logic Level Gate

Nominal Vgs

2.3 V

Feedback Cap-Max (Crss)

30 pF

Turn On Time-Max (ton)

30ns

Height

750μm

Length

3mm

Width

3mm

REACH SVHC

No SVHC

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
FDMC8200	8-PowerWDFN	MOSFET DUAL N-CHANNEL PowerTrench
IRFHS8342TRPBF	6-PowerVDFN	INFINEON IRFHS8342TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 8.8 A, 30 V, 0.013 ohm, 10 V, 1.8 VNew
BSZ0902NSATMA1	8-PowerTDFN	Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
IRFHS8342TR2PBF	6-PowerVDFN	MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET DUAL N-CHANNEL PowerTrench

Verpackung: 8-PowerWDFN

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

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1+:	$1.17354
10+:	$1.10711
100+:	$1.04444
500+:	$0.98532
1000+:	$0.92955

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