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FDS4501H - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FDS4501H

Hersteller Teil #: FDS4501H

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: MOSFET SO-8 COMP N-P-CH

Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FDS4501H Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Factory Lead Time

18 Weeks

Contact Plating

Tin

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Number of Pins

Weight

187mg

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.3A 5.6A

Number of Elements

Turn Off Delay Time

40 ns

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Series

PowerTrench®

Published

2001

JESD-609 Code

Pbfree Code

yes

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Resistance

18MOhm

Max Power Dissipation

Terminal Position

DUAL

Terminal Form

GULL WING

Current Rating

9.3A

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

2.5W

Turn On Delay Time

15 ns

FET Type

N and P-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18m Ω @ 9.3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1958pF @ 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 4.5V

Rise Time

15ns

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V 20V

Polarity/Channel Type

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

Fall Time (Typ)

25 ns

Continuous Drain Current (ID)

9.3A

Threshold Voltage

1.6V

Gate to Source Voltage (Vgs)

Drain to Source Breakdown Voltage

-20V

FET Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

FET Feature

Logic Level Gate

Height

1.575mm

Length

4.9mm

Width

3.9mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
FDS4501H	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET SO-8 COMP N-P-CH
IRF8313TRPBF	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
FDS6690AS	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
IRF7807ZTRPBF	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
IRF8313PBF	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC

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Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET SO-8 COMP N-P-CH

Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 10200 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 1.43983

Menge.	Stückpreis
1+:	$1.43983
10+:	$1.35833
100+:	$1.28144
500+:	$1.20891
1000+:	$1.14048

Zwischensumme: $1.43983

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