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FDC6506P - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FDC6506P

Hersteller Teil #: FDC6506P

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: Trans MOSFET P-CH 30V 1.8A 6-Pin SuperSOT T/R

Verpackung: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FDC6506P Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

Factory Lead Time

10 Weeks

Contact Plating

Tin

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Number of Pins

Weight

36mg

Transistor Element Material

SILICON

Number of Elements

Turn Off Delay Time

14 ns

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Series

PowerTrench®

Published

1999

JESD-609 Code

Pbfree Code

yes

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Resistance

170MOhm

Additional Feature

LOGIC LEVEL COMPATIBLE

Voltage - Rated DC

-30V

Max Power Dissipation

960mW

Terminal Form

GULL WING

Current Rating

-1.8A

Number of Channels

Element Configuration

Dual

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

960mW

Turn On Delay Time

7 ns

Power - Max

700mW

FET Type

2 P-Channel (Dual)

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

170m Ω @ 1.8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 15V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.5nC @ 10V

Rise Time

8ns

Fall Time (Typ)

8 ns

Continuous Drain Current (ID)

1.8A

Threshold Voltage

-1.8V

Gate to Source Voltage (Vgs)

20V

Drain to Source Breakdown Voltage

-30V

Dual Supply Voltage

30V

FET Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Max Junction Temperature (Tj)

150°C

FET Feature

Logic Level Gate

Height

1.1mm

Length

3mm

Width

1.7mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
FDC6506P	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Trans MOSFET P-CH 30V 1.8A 6-Pin SuperSOT T/R
FDC6561AN	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
IRLMS5703TRPBF	SOT-23-6	MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP
ZXMN3A01E6TA	SOT-23-6	MOSFET 30V N-Chnl UMOS
CPH6355-TL-W	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Trans MOSFET P-CH 30V 3A 6-Pin CPH T/R

FDC6506P Preis
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FDC6506P Hersteller
FDC6506P Technische Daten
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What is power Trench MOSFET?

A trench gate MOSFET is basically an attempt to make a complete chip. conduct the current vertically from one surface to the other so as to achieve a high. drive capability. It is realized by packing millions of trenches on a chip, deep. enough to cross the oppositely doped 'body' region below the top surface.

What are power MOSFETs used for?

RF DMOS, also known as RF power MOSFET, is a type of DMOS power transistor designed for radio-frequency (RF) applications. It is used in various radio and RF applications. Power MOSFETs are widely used in transportation technology, which include a wide range of vehicles.

Where are MOSFETs used?

Power MOSFETs are commonly used in automotive electronics, particularly as switching devices in electronic control units, and as power converters in modern electric vehicles. The insulated-gate bipolar transistor (IGBT), a hybrid MOS-bipolar transistor, is also used for a wide variety of applications.

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Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: Trans MOSFET P-CH 30V 1.8A 6-Pin SuperSOT T/R

Verpackung: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 12500 Kann sofort geliefert werden

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Menge.	Stückpreis
1+:	$0.00000
10+:	$0.00000
100+:	$0.00000
500+:	$0.00000
1000+:	$0.00000

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