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FDC6561AN - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FDC6561AN

Hersteller Teil #: FDC6561AN

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6

Verpackung: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FDC6561AN Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

Factory Lead Time

10 Weeks

Contact Plating

Tin

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Number of Elements

Turn Off Delay Time

12 ns

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Series

PowerTrench®

Published

2017

JESD-609 Code

Pbfree Code

yes

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Resistance

95mOhm

Additional Feature

LOGIC LEVEL COMPATIBLE

Voltage - Rated DC

30V

Max Power Dissipation

960mW

Terminal Form

GULL WING

Current Rating

2.5A

Voltage

30V

Element Configuration

Dual

Current

24A

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

960mW

Turn On Delay Time

6 ns

Power - Max

700mW

FET Type

2 N-Channel (Dual)

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

95m Ω @ 2.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

220pF @ 15V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.2nC @ 5V

Rise Time

10ns

Fall Time (Typ)

10 ns

Continuous Drain Current (ID)

2.5A

Gate to Source Voltage (Vgs)

20V

Drain to Source Breakdown Voltage

30V

Dual Supply Voltage

30V

FET Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

FET Feature

Logic Level Gate

Nominal Vgs

1.8 V

Height

1mm

Length

3mm

Width

1.7mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
FDC6561AN	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
FDC6333C	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	ON SEMICONDUCTOR - FDC6333C - Dual MOSFET, N and P Channel, 2.5 A, 30 V, 0.095 ohm, 10 V, 1.8 V
ZXMN3A01E6TA	SOT-23-6	MOSFET 30V N-Chnl UMOS
IRLMS1503TRPBF	SOT-23-6	MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP
FDC6506P	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Trans MOSFET P-CH 30V 1.8A 6-Pin SuperSOT T/R

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6

Verpackung: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 30000 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 0.86301

Menge.	Stückpreis
1+:	$0.86301
10+:	$0.81417
100+:	$0.76808
500+:	$0.72460
1000+:	$0.68359

Zwischensumme: $0.86301

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