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FDC6420C - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FDC6420C

Hersteller Teil #: FDC6420C

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: ON SEMICONDUCTOR - FDC6420C - Dual MOSFET, N and P Channel, 3 A, 20 V, 0.05 ohm, 4.5 V, 900 mV

Verpackung: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FDC6420C Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

Factory Lead Time

10 Weeks

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Number of Pins

Weight

36mg

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A 2.2A

Number of Elements

Turn Off Delay Time

10 ns

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Series

PowerTrench®

Published

2017

JESD-609 Code

Pbfree Code

yes

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

Termination

SMD/SMT

ECCN Code

EAR99

Resistance

70MOhm

Terminal Finish

TIN (SN)

Max Power Dissipation

700mW

Terminal Form

GULL WING

Peak Reflow Temperature (Cel)

260

Current Rating

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

Number of Channels

Element Configuration

Dual

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

960mW

FET Type

N and P-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70m Ω @ 3A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

324pF @ 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.6nC @ 4.5V

Rise Time

12ns

Polarity/Channel Type

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

Fall Time (Typ)

12 ns

Continuous Drain Current (ID)

Threshold Voltage

900mV

Gate to Source Voltage (Vgs)

12V

Drain Current-Max (Abs) (ID)

Drain to Source Breakdown Voltage

20V

Dual Supply Voltage

20V

FET Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Max Junction Temperature (Tj)

150°C

FET Feature

Logic Level Gate

Nominal Vgs

900 mV

Height

900μm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
FDC6420C	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	ON SEMICONDUCTOR - FDC6420C - Dual MOSFET, N and P Channel, 3 A, 20 V, 0.05 ohm, 4.5 V, 900 mV
FDC6327C	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	ON SEMICONDUCTOR - FDC6327C - Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 2.7 A, 0.069 ohm, SuperSOT, Surface Mount
FDC6305N	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	ON SEMICONDUCTOR - FDC6305N - DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, SUPER SOT-6
FDC6392S	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	MOSFET P-CH 20V 2.2A SSOT-6
BSL205NH6327XTSA1	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Trans MOSFET N-CH 20(Min)V 2.5A 6-Pin TSOP T/R

FDC6420C Preis
FDC6420C Verteilers
FDC6420C Hersteller
FDC6420C Technische Daten
FDC6420C PDF
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: ON SEMICONDUCTOR - FDC6420C - Dual MOSFET, N and P Channel, 3 A, 20 V, 0.05 ohm, 4.5 V, 900 mV

Verpackung: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 27000 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 0.90149

Menge.	Stückpreis
1+:	$0.90149
10+:	$0.85047
100+:	$0.80233
500+:	$0.75691
1000+:	$0.71407

Zwischensumme: $0.90149

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