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FDC6301N - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FDC6301N

Hersteller Teil #: FDC6301N

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: ON SEMICONDUCTOR - FDC6301N - Dual MOSFET, Dual N Channel, 220 mA, 25 V, 4 ohm, 4.5 V, 850 mV

Verpackung: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FDC6301N Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Factory Lead Time

10 Weeks

Contact Plating

Tin

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Number of Pins

Weight

36mg

Transistor Element Material

SILICON

Number of Elements

Turn Off Delay Time

4 ns

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Published

1997

JESD-609 Code

Pbfree Code

yes

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

Termination

SMD/SMT

ECCN Code

EAR99

Resistance

4Ohm

Additional Feature

LOGIC LEVEL COMPATIBLE

Voltage - Rated DC

25V

Max Power Dissipation

900mW

Terminal Form

GULL WING

Current Rating

220mA

Element Configuration

Dual

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

900mW

Turn On Delay Time

5 ns

Power - Max

700mW

FET Type

2 N-Channel (Dual)

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4 Ω @ 400mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

9.5pF @ 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V

Rise Time

4.5ns

Fall Time (Typ)

4.5 ns

Continuous Drain Current (ID)

220mA

Threshold Voltage

850mV

Gate to Source Voltage (Vgs)

Drain to Source Breakdown Voltage

25V

Dual Supply Voltage

25V

FET Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

FET Feature

Logic Level Gate

Nominal Vgs

850 mV

Height

1mm

Length

3mm

Width

1.7mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
FDC6301N	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	ON SEMICONDUCTOR - FDC6301N - Dual MOSFET, Dual N Channel, 220 mA, 25 V, 4 ohm, 4.5 V, 850 mV
FDC6303N	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin SuperSOT T/R
FDC6320C	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	MOSFET N/P-CH 25V SSOT6
FDC6304P	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	MOSFET 2P-CH 25V 0.46A SSOT-6

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FDC6301N Verteilers
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: ON SEMICONDUCTOR - FDC6301N - Dual MOSFET, Dual N Channel, 220 mA, 25 V, 4 ohm, 4.5 V, 850 mV

Verpackung: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 500 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: aufrufen

Menge.	Stückpreis
1+:	$0.00000
10+:	$0.00000
100+:	$0.00000
500+:	$0.00000
1000+:	$0.00000

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