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FDMD8280 - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FDMD8280

Hersteller Teil #: FDMD8280

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: PT7 80/20V Dual Nch PowerTrench MOSFET - 12LD, PQFN, POWERCLIP DUAL, JEDEC, MO-240, VARIATION BA, 3.3

Verpackung: 12-PowerWDFN

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FDMD8280 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Factory Lead Time

12 Weeks

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

12-PowerWDFN

Number of Pins

Weight

82.3188mg

Transistor Element Material

SILICON

Number of Elements

Turn Off Delay Time

26 ns

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Series

PowerTrench®

JESD-609 Code

Pbfree Code

yes

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Terminal Finish

Tin (Sn)

Max Power Dissipation

Terminal Form

NO LEAD

Peak Reflow Temperature (Cel)

260

Reach Compliance Code

not_compliant

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

NOT SPECIFIED

Number of Channels

Element Configuration

Dual

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Case Connection

DRAIN SOURCE

Turn On Delay Time

15 ns

FET Type

2 N-Channel (Dual)

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.2m Ω @ 11A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3050pF @ 40V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Rise Time

12ns

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Fall Time (Typ)

8.9 ns

Continuous Drain Current (ID)

11A

Gate to Source Voltage (Vgs)

20V

Drain to Source Breakdown Voltage

80V

FET Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

FET Feature

Standard

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Teilenummer	Paket	Beschreibung
FDMD8280	12-PowerWDFN	PT7 80/20V Dual Nch PowerTrench MOSFET - 12LD, PQFN, POWERCLIP DUAL, JEDEC, MO-240, VARIATION BA, 3.3
NTMFS5C646NLT1G	8-PowerTDFN	ON SEMICONDUCTOR NTMFS5C646NLT1GMOSFET Transistor, N Channel, 19 A, 60 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2 V
NVMFS5C670NLT1G	8-PowerTDFN	MOSFET N-CH 60V 71A SO8FL
DMN62D0LFB-7	3-UFDFN	Trans MOSFET N-CH 60V 0.1A Automotive 3-Pin DFN T/R
NTMFS5C670NLT1G	8-PowerTDFN	MOSFET N-CH 60V 68A SO8FL

FDMD8280 Preis
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What is power Trench MOSFET?

A trench gate MOSFET is basically an attempt to make a complete chip. conduct the current vertically from one surface to the other so as to achieve a high. drive capability. It is realized by packing millions of trenches on a chip, deep. enough to cross the oppositely doped 'body' region below the top surface.

Why do we use N channel MOSFET?

N-channel MOSFETs are easier to work with, and are the most commonly used type. They are also easier to manufacture, and thus are available for lower prices with higher performance than p-channel MOSFETs.

How does N channel depletion MOSFET work?

A depletion-mode MOSFET also works in enhancement mode. The NMOS can operate with a significant positive gate-to-source voltage. Applying a gate-to-source voltage that will make the gate positive relative to the source attracts additional free electrons into the n-channel.

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: PT7 80/20V Dual Nch PowerTrench MOSFET - 12LD, PQFN, POWERCLIP DUAL, JEDEC, MO-240, VARIATION BA, 3.3

Verpackung: 12-PowerWDFN

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 15000 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 3.53509

Menge.	Stückpreis
1+:	$3.53509
10+:	$3.33499
100+:	$3.14622
500+:	$2.96813
1000+:	$2.80012

Zwischensumme: $3.53509

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