FDMS3660S - ON Semiconductor

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Kynix Teil #: KY13-FDMS3660S
Hersteller Teil #: FDMS3660S
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
Verpackung: 8-PowerTDFN
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Factory Lead Time  
13 Weeks
Contact Plating  
Tin
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
8-PowerTDFN
Number of Pins  
8
Weight  
171mg
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
30A 60A
Number of Elements  
2
Turn Off Delay Time  
19 ns
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
PowerTrench®
Published  
2009
JESD-609 Code  
e3
Pbfree Code  
yes
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
6
ECCN Code  
EAR99
Max Power Dissipation  
2.5W
Terminal Form  
FLAT
Base Part Number  
FDMS3660S
JESD-30 Code  
R-PDSO-F6
Element Configuration  
Dual
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
2.5W
Case Connection  
DRAIN SOURCE
Turn On Delay Time  
7.7 ns
Power - Max  
1W
FET Type  
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
8m Ω @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
2.7V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
1765pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
29nC @ 10V
Continuous Drain Current (ID)  
30A
Threshold Voltage  
1.5V
Gate to Source Voltage (Vgs)  
12V
Drain Current-Max (Abs) (ID)  
13A
Drain to Source Breakdown Voltage  
30V
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FET Feature  
Logic Level Gate
Nominal Vgs  
1.5 V
Feedback Cap-Max (Crss)  
70 pF
Height  
1.1mm
Length  
5mm
Width  
5.9mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:FDMS3660S Enthaltenes Wort ist 3
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
FDMS3660S 8-PowerTDFN MOSFET PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
IRFH7914TRPBF 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 15A PQFN
NTD70N03RT4G TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 25V 10A DPAK
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Häufig gestellte Fragen

How many specialized N-Channel MOSFETs are in a dual PQFN package?

two

How has the switch node been internally connected?

easy placement and routing of synchronous buck converters

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
Verpackung: 8-PowerTDFN
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 1156 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 2.25761
Menge. Stückpreis
1+: $2.25761
10+: $2.12982
100+: $2.00927
500+: $1.89553
1000+: $1.78824
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