BUL3P5 - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-BUL3P5
Hersteller Teil #: BUL3P5
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT MEDIUM Vltg PNP Pwr TRANSISTOR
Verpackung: TO-220-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Package / Case  
TO-220-3
Mounting Type  
Through Hole
Mount  
Through Hole
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
hFEMin  
10
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
60W
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
400V
Packaging  
Tube
Operating Temperature  
150°C TJ
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
3 (168 Hours)
Number of Terminations  
3
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn)
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Reach Compliance Code  
not_compliant
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Base Part Number  
BUL3P5
JESD-30 Code  
R-PSFM-T3
Qualification Status  
Not Qualified
Element Configuration  
Single
Power - Max  
60W
Transistor Application  
SWITCHING
Polarity/Channel Type  
PNP
Transistor Type  
PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO)  
500mV
Max Collector Current  
3A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce  
18 @ 700mA 5V
Current - Collector Cutoff (Max)  
100μA
JEDEC-95 Code  
TO-220AB
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic  
500mV @ 200mA, 1A
Collector Base Voltage (VCBO)  
500V
Emitter Base Voltage (VEBO)  
5V
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
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Häufig gestellte Fragen

What technology is the BUL3P5 manufactured using?

high voltage Multi-Epitaxial Planar technology

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT MEDIUM Vltg PNP Pwr TRANSISTOR
Verpackung: TO-220-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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