MD2009DFX - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-MD2009DFX
Hersteller Teil #: MD2009DFX
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: TRANS NPN 700V 10A ISOWATT218FX
Verpackung: ISOWATT218FX
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount  
Through Hole
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
ISOWATT218FX
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
700V
Number of Elements  
1
hFEMin  
5
Operating Temperature  
150°C TJ
Packaging  
Tube
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
3
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn)
Additional Feature  
BUILT-IN BIAS RESISTORS
Max Power Dissipation  
58W
Base Part Number  
MD2009
Pin Count  
3
Element Configuration  
Single
Power Dissipation  
58W
Case Connection  
ISOLATED
Transistor Application  
AMPLIFIER
Polarity/Channel Type  
NPN
Transistor Type  
NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO)  
700V
Max Collector Current  
10A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce  
5 @ 5.5A 5V
Current - Collector Cutoff (Max)  
200μA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic  
2.8V @ 1.4A, 5.5A
Emitter Base Voltage (VEBO)  
7V
Continuous Collector Current  
10A
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
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Häufig gestellte Fragen

What is the MD2009DFX manufactured using?

Diffused Collector in Planar Technology

What does the MD2009DFX stand for?

Integrated free wheeling diode

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: TRANS NPN 700V 10A ISOWATT218FX
Verpackung: ISOWATT218FX
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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