BDX53BFP - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-BDX53BFP
Hersteller Teil #: BDX53BFP
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: TRANS NPN DARL 80V 8A TO-220FP
Verpackung: TO-220-3 Full Pack
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount  
Through Hole
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-220-3 Full Pack
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
80V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
2V
Power Dissipation (Max)  
29W
Number of Elements  
1
hFEMin  
750
Operating Temperature  
150°C TJ
Packaging  
Tube
JESD-609 Code  
e3
Pbfree Code  
yes
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
3
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn) - annealed
Base Part Number  
BDX53
Polarity  
NPN
Element Configuration  
Single
Power Dissipation  
29W
Case Connection  
ISOLATED
Transistor Application  
SWITCHING
Transistor Type  
NPN - Darlington
Collector Emitter Voltage (VCEO)  
80V
Max Collector Current  
8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce  
750 @ 3A 3V
Current - Collector Cutoff (Max)  
500μA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic  
2V @ 12mA, 3A
Collector Base Voltage (VCBO)  
80V
Emitter Base Voltage (VEBO)  
5V
VCEsat-Max  
2 V
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
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Häufig gestellte Fragen

What is a silicon Epitaxial-Base NPN power transistor?

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What is a silicon Epitaxial-Base NPN power transistor?

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: TRANS NPN DARL 80V 8A TO-220FP
Verpackung: TO-220-3 Full Pack
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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