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BULK128D-B - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-BULK128D-B

Hersteller Teil #: BULK128D-B

Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: STMICROELECTRONICS BULK128D-B Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 400 V, 55 W, 4 A, 10 hFE

Verpackung: SOT-82

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

BULK128D-B Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Mount

Through Hole

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

SOT-82

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400V

Power Dissipation (Max)

55W

Number of Elements

Operating Temperature

150°C TJ

Packaging

Tube

JESD-609 Code

Part Status

Obsolete

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Terminal Finish

Matte Tin (Sn)

Base Part Number

BULK128

Element Configuration

Single

Power Dissipation

55W

Transistor Application

SWITCHING

Polarity/Channel Type

NPN

Transistor Type

NPN

Collector Emitter Voltage (VCEO)

400V

Max Collector Current

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

8 @ 2A 5V

Current - Collector Cutoff (Max)

250μA

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 500mA, 2.5A

Collector Base Voltage (VCBO)

700V

Emitter Base Voltage (VEBO)

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

BULK128D-B Preis
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: STMICROELECTRONICS BULK128D-B Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 400 V, 55 W, 4 A, 10 hFE

Verpackung: SOT-82

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 1934 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: aufrufen

Menge.	Stückpreis
1+:	$0.00000
10+:	$0.00000
100+:	$0.00000
500+:	$0.00000
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