BD179 - STMicroelectronics
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Kynix Teil #: KY13-BD179
Hersteller Teil #: BD179
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Purpose Sw
Verpackung: TO-225AA, TO-126-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
BD179 Datenblatt
BD179 Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount
Through Hole
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
Number of Pins
3
Transistor Element Material
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80V
Collector-Emitter Saturation Voltage
800mV
Power Dissipation (Max)
30W
Number of Elements
1
hFEMin
40
Operating Temperature
150°C TJ
Packaging
Tube
JESD-609 Code
e3
Pbfree Code
yes
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Number of Terminations
3
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Base Part Number
BD179
Element Configuration
Single
Power Dissipation
30W
Case Connection
ISOLATED
Transistor Application
SWITCHING
Polarity/Channel Type
NPN
Transistor Type
NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO)
80V
Max Collector Current
3A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
15 @ 2V 1A
Current - Collector Cutoff (Max)
100μA ICBO
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
800mV @ 100mA, 1A
Transition Frequency
3MHz
Collector Base Voltage (VCBO)
80V
Emitter Base Voltage (VEBO)
5V
VCEsat-Max
0.8 V
REACH SVHC
No SVHC
Radiation Hardening
No
RoHS Status
ROHS3 Compliant
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Häufig gestellte Fragen
What type of technology is the NPN transistor manufactured in?
Planar technology
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
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Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Purpose Sw
Verpackung: TO-225AA, TO-126-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
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Datenblatt:
Datenblatt
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