BD179 - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-BD179
Hersteller Teil #: BD179
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Purpose Sw
Verpackung: TO-225AA, TO-126-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount  
Through Hole
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-225AA, TO-126-3
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
80V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
800mV
Number of Elements  
1
hFEMin  
40
Operating Temperature  
150°C TJ
Packaging  
Tube
JESD-609 Code  
e3
Pbfree Code  
yes
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
3
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn)
Max Power Dissipation  
30W
Base Part Number  
BD179
Pin Count  
3
Element Configuration  
Single
Power Dissipation  
30W
Case Connection  
ISOLATED
Transistor Application  
SWITCHING
Polarity/Channel Type  
NPN
Transistor Type  
NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO)  
80V
Max Collector Current  
3A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce  
15 @ 2V 1A
Current - Collector Cutoff (Max)  
100μA ICBO
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic  
800mV @ 100mA, 1A
Transition Frequency  
3MHz
Collector Base Voltage (VCBO)  
80V
Emitter Base Voltage (VEBO)  
5V
VCEsat-Max  
0.8 V
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
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Häufig gestellte Fragen

What type of technology is the NPN transistor manufactured in?

Planar technology

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Purpose Sw
Verpackung: TO-225AA, TO-126-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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