BDV65A - Central Semiconductor Corp

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-BDV65A
Hersteller Teil #: BDV65A
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Beschreibung: POWER TRANSISTOR NPN TO218
Verpackung: TO-218-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount  
Through Hole
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-218-3
Transistor Element Material  
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
80V
Current-Collector (Ic) (Max)  
12A
Number of Elements  
1
Operating Temperature (Max.)  
150°C
Packaging  
Bulk
JESD-609 Code  
e0
Pbfree Code  
no
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
3
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS Code  
8541.29.00.75
Max Power Dissipation  
125W
Terminal Position  
SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Reach Compliance Code  
not_compliant
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
JESD-30 Code  
R-PSFM-T3
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
DARLINGTON
Case Connection  
COLLECTOR
Transistor Application  
AMPLIFIER
Polarity/Channel Type  
NPN
Transistor Type  
NPN
Max Collector Current  
12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce  
1000 @ 5A 4V
Transition Frequency  
60MHz
Frequency - Transition  
60MHz
RoHS Status  
Non-RoHS Compliant
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: POWER TRANSISTOR NPN TO218
Verpackung: TO-218-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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