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BDV65B - Central Semiconductor Corp

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-BDV65B

Hersteller Teil #: BDV65B

Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single

Hersteller: Central Semiconductor Corp

Beschreibung: POWER TRANSISTOR NPN TO218

Verpackung: TO-218-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

BDV65B Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Mount

Through Hole

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-218-3

Transistor Element Material

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Current-Collector (Ic) (Max)

12A

Number of Elements

Operating Temperature (Max.)

150°C

Packaging

Bulk

JESD-609 Code

Pbfree Code

Part Status

Obsolete

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Terminal Finish

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS Code

8541.29.00.75

Max Power Dissipation

125W

Terminal Position

SINGLE

Peak Reflow Temperature (Cel)

NOT SPECIFIED

Reach Compliance Code

not_compliant

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

NOT SPECIFIED

JESD-30 Code

R-PSFM-T3

Qualification Status

Not Qualified

Configuration

DARLINGTON

Case Connection

COLLECTOR

Transistor Application

AMPLIFIER

Polarity/Channel Type

NPN

Transistor Type

NPN

Max Collector Current

12A

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 5A 4V

Transition Frequency

60MHz

Frequency - Transition

60MHz

RoHS Status

Non-RoHS Compliant

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

BDV65B Preis
BDV65B Verteilers
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BDV65B Technische Daten
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125 W

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

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Verpackung: TO-218-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

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Datenblatt

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Stückpreis: aufrufen

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1+:	$0.00000
10+:	$0.00000
100+:	$0.00000
500+:	$0.00000
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