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BDV65 - Central Semiconductor Corp

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-BDV65

Hersteller Teil #: BDV65

Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single

Hersteller: Central Semiconductor Corp

Beschreibung: POWER TRANSISTOR NPN TO218

Verpackung: TO-218-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

BDV65 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-218-3

Surface Mount

Transistor Element Material

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

12A

Number of Elements

Operating Temperature (Max.)

150°C

Packaging

Bulk

JESD-609 Code

Pbfree Code

Part Status

Obsolete

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Terminal Finish

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS Code

8541.29.00.75

Terminal Position

SINGLE

Peak Reflow Temperature (Cel)

NOT SPECIFIED

Reach Compliance Code

not_compliant

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

NOT SPECIFIED

JESD-30 Code

R-PSFM-T3

Qualification Status

Not Qualified

Configuration

DARLINGTON

Case Connection

COLLECTOR

Power - Max

125W

Transistor Application

AMPLIFIER

Polarity/Channel Type

NPN

Transistor Type

NPN

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 5A 4V

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

60V

Transition Frequency

60MHz

Frequency - Transition

60MHz

Power Dissipation-Max (Abs)

125W

RoHS Status

Non-RoHS Compliant

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: POWER TRANSISTOR NPN TO218

Verpackung: TO-218-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

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100+:	$0.00000
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