ESM2012DV - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-ESM2012DV
Hersteller Teil #: ESM2012DV
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: TRANS NPN DARL 120V 120A ISOTOP
Verpackung: ISOTOP
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount  
Chassis Mount, Screw
Mounting Type  
Chassis Mount
Package / Case  
ISOTOP
Number of Pins  
4
Transistor Element Material  
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
120V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
1.5V
Power Dissipation (Max)  
175W
Number of Elements  
1
hFEMin  
1200
Operating Temperature  
150°C TJ
Packaging  
Tube
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
4
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Nickel (Ni)
Voltage - Rated DC  
120V
Terminal Position  
UPPER
Terminal Form  
UNSPECIFIED
Current Rating  
120A
Base Part Number  
ESM2012
Polarity  
NPN
Configuration  
DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE
Power Dissipation  
175W
Case Connection  
ISOLATED
Transistor Application  
SWITCHING
Transistor Type  
NPN - Darlington
Collector Emitter Voltage (VCEO)  
150V
Max Collector Current  
120A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce  
1200 @ 100A 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic  
1.5V @ 1A, 100A
Emitter Base Voltage (VEBO)  
7V
VCEsat-Max  
2 V
Fall Time-Max (tf)  
300ns
Width  
25.4mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: TRANS NPN DARL 120V 120A ISOTOP
Verpackung: ISOTOP
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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