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MJD31C1G - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-MJD31C1G

Hersteller Teil #: MJD31C1G

Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: ON Semi MJD31C1G NPN Bipolar Transistor; 3 A; 100 V; 3-Pin IPAK

Verpackung: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

MJD31C1G Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Factory Lead Time

8 Weeks

Contact Plating

Tin

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Surface Mount

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

10V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.2V

Number of Elements

hFEMin

Operating Temperature

-65°C~150°C TJ

Packaging

Tube

Published

2005

JESD-609 Code

Pbfree Code

yes

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Voltage - Rated DC

100V

Max Power Dissipation

1.56W

Peak Reflow Temperature (Cel)

260

Current Rating

Frequency

3MHz

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

Base Part Number

MJD31

Pin Count

JESD-30 Code

R-PSIP-T3

Element Configuration

Single

Power Dissipation

1.56W

Case Connection

COLLECTOR

Transistor Application

AMPLIFIER

Gain Bandwidth Product

3MHz

Polarity/Channel Type

NPN

Transistor Type

NPN

Collector Emitter Voltage (VCEO)

100V

Max Collector Current

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 3A 4V

Current - Collector Cutoff (Max)

50μA

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1.2V @ 375mA, 3A

Transition Frequency

3MHz

Max Breakdown Voltage

100V

Collector Base Voltage (VCBO)

100V

Emitter Base Voltage (VEBO)

Height

6.22mm

Length

6.73mm

Width

2.38mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
MJD31C1G	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	ON Semi MJD31C1G NPN Bipolar Transistor; 3 A; 100 V; 3-Pin IPAK
NSS12601CF8T1G	8-SMD, Flat Lead	Trans GP BJT NPN 12V 6A Automotive 8-Pin Chip FET T/R
2SC5488A-TL-H	3-SMD, Flat Lead	TRANS NPN BIPO VHF-UHF SSFP
2SD2653KT146	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 12V 2A SOT-346
2SC5231A-9-TL-E	3-SMD, Gull Wing	TRANS NPN BIPO 70MA 10V SMCP

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MJD31C1G Verteilers
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: ON Semi MJD31C1G NPN Bipolar Transistor; 3 A; 100 V; 3-Pin IPAK

Verpackung: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 135800 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 0.15990

Menge.	Stückpreis
1+:	$0.15990
10+:	$0.15085
100+:	$0.14231
500+:	$0.13425
1000+:	$0.12665

Zwischensumme: $0.15990

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