BUT70W - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-BUT70W
Hersteller Teil #: BUT70W
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT NPN High Power
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
NRND (Last Updated: 8 months ago)
Contact Plating  
Tin
Mount  
Through Hole
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-247-3
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
125V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
900mV
Number of Elements  
1
Operating Temperature  
150°C TJ
Packaging  
Tube
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Not For New Designs
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
3
ECCN Code  
EAR99
Voltage - Rated DC  
125V
Max Power Dissipation  
200W
Current Rating  
7A
Base Part Number  
BUT70
Element Configuration  
Single
Power Dissipation  
200W
Transistor Application  
SWITCHING
Polarity/Channel Type  
NPN
Transistor Type  
NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO)  
125V
Max Collector Current  
32A
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic  
900mV @ 7A, 70A
Collector Base Voltage (VCBO)  
200V
Emitter Base Voltage (VEBO)  
7V
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
BUT70W TO-247-3 Bipolar Transistors - BJT NPN High Power
2SB817C-1E TO-3P-3, SC-65-3 Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 12A 140V
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Häufig gestellte Fragen

In what plastic package is the BUT70W a multiepitaxial planar NPN transistor?

TO-247

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT NPN High Power
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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