ST13003N - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-ST13003N
Hersteller Teil #: ST13003N
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin(3 Tab) SOT-32 Bag
Verpackung: TO-225AA, TO-126-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Package / Case  
TO-225AA, TO-126-3
Mount  
Through Hole
Mounting Type  
Through Hole
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
400V
Power Dissipation (Max)  
20W
Number of Elements  
1
Operating Temperature  
150°C TJ
Packaging  
Bulk
JESD-609 Code  
e3
Pbfree Code  
yes
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
3
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn)
Terminal Position  
SINGLE
Base Part Number  
ST13003
Configuration  
SINGLE
Power Dissipation  
20W
Transistor Application  
SWITCHING
Polarity/Channel Type  
NPN
Transistor Type  
NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO)  
400V
Max Collector Current  
1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce  
5 @ 1A 10V
Current - Collector Cutoff (Max)  
1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic  
1.2V @ 330mA, 1A
Emitter Base Voltage (VEBO)  
9V
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
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Häufig gestellte Fragen

What technology is used for high switching speed and high voltage capability?

high voltage multi epitaxial planar technology

What type of structure does the device use to enhance switching speeds?

cellular emitter structure

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin(3 Tab) SOT-32 Bag
Verpackung: TO-225AA, TO-126-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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