2N5192 - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-2N5192
Hersteller Teil #: 2N5192
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: STMICROELECTRONICS 2N5192 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 40 W, 4 A, 80 hFE
Verpackung: TO-225AA, TO-126-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount  
Through Hole
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-225AA, TO-126-3
Number of Pins  
3
Weight  
90.718474mg
Transistor Element Material  
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
80V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
-1.2V
Number of Elements  
1
hFEMin  
20
Operating Temperature  
150°C TJ
Packaging  
Tube
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
3
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn)
Voltage - Rated DC  
80V
Max Power Dissipation  
40W
Current Rating  
4A
Frequency  
2MHz
Base Part Number  
2N51
Pin Count  
3
Element Configuration  
Single
Power Dissipation  
40W
Case Connection  
ISOLATED
Transistor Application  
SWITCHING
Polarity/Channel Type  
NPN
Transistor Type  
NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO)  
80V
Max Collector Current  
4A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce  
20 @ 1.5A 2V
Current - Collector Cutoff (Max)  
1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic  
1.4V @ 1A, 4A
Transition Frequency  
2MHz
Collector Base Voltage (VCBO)  
80V
Emitter Base Voltage (VEBO)  
5V
Height  
11.05mm
Length  
7.8mm
Width  
2.9mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: STMICROELECTRONICS 2N5192 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 40 W, 4 A, 80 hFE
Verpackung: TO-225AA, TO-126-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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