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2N5885G - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-2N5885G

Hersteller Teil #: 2N5885G

Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: ON SEMICONDUCTOR - 2N5885G - Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 60 V, 4 MHz, 200 W, 50 A, 4 hFE

Verpackung: TO-204AA, TO-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

2N5885G Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Factory Lead Time

2 Weeks

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Surface Mount

Package / Case

TO-204AA, TO-3

Mounting Type

Through Hole

Contact Plating

Tin

Number of Pins

Weight

4.535924g

Transistor Element Material

SILICON

hFEMin

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

200W

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

4MHz

Collector-Emitter Saturation Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Published

2005

Packaging

Tray

Operating Temperature

-65°C~200°C TJ

JESD-609 Code

Pbfree Code

yes

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Voltage - Rated DC

60V

Terminal Position

BOTTOM

Terminal Form

PIN/PEG

Peak Reflow Temperature (Cel)

260

Current Rating

600mA

Frequency

4MHz

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

Base Part Number

2N5885

Element Configuration

Single

Power Dissipation

200W

Case Connection

COLLECTOR

Transistor Application

SWITCHING

Polarity/Channel Type

NPN

Transistor Type

NPN

Collector Emitter Voltage (VCEO)

60V

Max Collector Current

25A

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 10A 4V

Current - Collector Cutoff (Max)

2mA

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

4V @ 6.25A, 25A

Transition Frequency

4MHz

Collector Base Voltage (VCBO)

60V

Emitter Base Voltage (VEBO)

Width

26.67mm

Length

39.37mm

Height

8.51mm

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Radiation Hardening

REACH SVHC

No SVHC

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
2N5885G	TO-204AA, TO-3	ON SEMICONDUCTOR - 2N5885G - Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 60 V, 4 MHz, 200 W, 50 A, 4 hFE
2N5302G	TO-204AA, TO-3	ON SEMICONDUCTOR - 2N5302G - ?????????? ??????????, ?????????????, NPN, 60 ?, 2 ???, 200 ??, 30 ?, 2 hFE
MJ11012G	TO-204AA, TO-3	Trans Darlington NPN 60V 30A 3-Pin(2 Tab) TO-3 Tray
2N5886G	TO-204AA, TO-3	TRANS NPN 80V 25A TO3

2N5885G Preis
2N5885G Verteilers
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2N5885G Technische Daten
2N5885G PDF
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: ON SEMICONDUCTOR - 2N5885G - Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 60 V, 4 MHz, 200 W, 50 A, 4 hFE

Verpackung: TO-204AA, TO-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 70 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 3.59745

Menge.	Stückpreis
1+:	$3.59745
10+:	$3.39382
100+:	$3.20172
500+:	$3.02049
1000+:	$2.84952

Zwischensumme: $3.59745

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