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DNLS350E-13 - Diodes Incorporated

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-DNLS350E-13

Hersteller Teil #: DNLS350E-13

Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single

Hersteller: Diodes Incorporated

Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT NPN 1W

Verpackung: TO-261-4, TO-261AA

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

DNLS350E-13 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Factory Lead Time

19 Weeks

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Number of Pins

Weight

7.994566mg

Transistor Element Material

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

290mV

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

100MHz

Power Dissipation (Max)

Number of Elements

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Published

2008

JESD-609 Code

Pbfree Code

yes

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Terminal Finish

Matte Tin (Sn)

Terminal Position

DUAL

Terminal Form

GULL WING

Peak Reflow Temperature (Cel)

260

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

Base Part Number

DNLS350

Element Configuration

Single

Case Connection

COLLECTOR

Transistor Application

SWITCHING

Polarity/Channel Type

NPN

Transistor Type

NPN

Collector Emitter Voltage (VCEO)

50V

Max Collector Current

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 2A 2V

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA ICBO

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

290mV @ 200mA, 2A

Transition Frequency

100MHz

Max Breakdown Voltage

50V

Collector Base Voltage (VCBO)

60V

Emitter Base Voltage (VEBO)

Continuous Collector Current

Height

1.6mm

Length

6.5mm

Width

3.5mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Teilenummer	Paket	Beschreibung
DNLS350E-13	TO-261-4, TO-261AA	Bipolar Transistors - BJT NPN 1W
DZT851-13	TO-261-4, TO-261AA	Trans GP BJT NPN 60V 6A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
NZT560	TO-261-4, TO-261AA	Trans GP BJT NPN 60V 3A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
BCP54	TO-261-4, TO-261AA	Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
DJT4031N-13	TO-261-4, TO-261AA	DIODES INC. DJT4031N-13 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 105 MHz, 1.2 W, 500 mA, 220 hFE

DNLS350E-13 Preis
DNLS350E-13 Verteilers
DNLS350E-13 Hersteller
DNLS350E-13 Technische Daten
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT NPN 1W

Verpackung: TO-261-4, TO-261AA

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 70000 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 0.46839

Menge.	Stückpreis
1+:	$0.46839
10+:	$0.44188
100+:	$0.41687
500+:	$0.39327
1000+:	$0.37101

Zwischensumme: $0.46839

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