DNLS350E-13 - Diodes Incorporated

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Kynix Teil #: KY13-DNLS350E-13
Hersteller Teil #: DNLS350E-13
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT NPN 1W
Verpackung: TO-261-4, TO-261AA
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
19 Weeks
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-261-4, TO-261AA
Number of Pins  
4
Weight  
7.994566mg
Transistor Element Material  
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
50V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
290mV
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)  
100MHz
Power Dissipation (Max)  
1W
Number of Elements  
1
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Published  
2008
JESD-609 Code  
e3
Pbfree Code  
yes
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
4
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn)
Terminal Position  
DUAL
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
260
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
40
Base Part Number  
DNLS350
Element Configuration  
Single
Case Connection  
COLLECTOR
Transistor Application  
SWITCHING
Polarity/Channel Type  
NPN
Transistor Type  
NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO)  
50V
Max Collector Current  
3A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce  
100 @ 2A 2V
Current - Collector Cutoff (Max)  
100nA ICBO
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic  
290mV @ 200mA, 2A
Transition Frequency  
100MHz
Max Breakdown Voltage  
50V
Collector Base Voltage (VCBO)  
60V
Emitter Base Voltage (VEBO)  
6V
Continuous Collector Current  
3A
Height  
1.6mm
Length  
6.5mm
Width  
3.5mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
DNLS350E-13 TO-261-4, TO-261AA Bipolar Transistors - BJT NPN 1W
DZT851-13 TO-261-4, TO-261AA Trans GP BJT NPN 60V 6A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
NZT560 TO-261-4, TO-261AA Trans GP BJT NPN 60V 3A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
BCP54 TO-261-4, TO-261AA Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
DJT4031N-13 TO-261-4, TO-261AA DIODES INC. DJT4031N-13 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 105 MHz, 1.2 W, 500 mA, 220 hFE
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT NPN 1W
Verpackung: TO-261-4, TO-261AA
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 70000 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 0.52309
Menge. Stückpreis
1+: $0.52309
10+: $0.49348
100+: $0.46555
500+: $0.43920
1000+: $0.41434
Zwischensumme: $0.52309

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