STB13007DT4 - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STB13007DT4
Hersteller Teil #: STB13007DT4
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: STB1300 Series NPN 400 V 8 A 80 W Fast-Switching Power Transistor - D2PAK
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Factory Lead Time  
8 Weeks
Contact Plating  
Tin
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Manufacturer Package Identifier  
TO-263-P011P6
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
400V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
3V
Power Dissipation (Max)  
80W
Number of Elements  
1
hFEMin  
8
Operating Temperature  
150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
Voltage - Rated DC  
400V
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
245
Current Rating  
8A
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
30
Base Part Number  
STB13007
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Element Configuration  
Single
Power Dissipation  
80W
Transistor Application  
SWITCHING
Polarity/Channel Type  
NPN
Transistor Type  
NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO)  
400V
Max Collector Current  
8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce  
8 @ 5A 5V
Current - Collector Cutoff (Max)  
100μA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic  
3V @ 1A, 5A
Max Breakdown Voltage  
400V
Collector Base Voltage (VCBO)  
700V
Emitter Base Voltage (VEBO)  
9V
Max Junction Temperature (Tj)  
150°C
Height  
4.83mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:STB13007DT4 Enthaltenes Wort ist 4
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STB13007DT4 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB STB1300 Series NPN 400 V 8 A 80 W Fast-Switching Power Transistor - D2PAK
FJB102TM TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TRANS NPN DARL 100V 8A D2PAK
FJB5555TM D2PAK Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Transistor
FJB3307DTM TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TRANS NPN 400V 8A D2PAK
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Häufig gestellte Fragen

What type of technology is used for high switching speeds and medium voltage capability?

Multi-Epitaxial Planar

What structure is used to enhance switching speeds?

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: STB1300 Series NPN 400 V 8 A 80 W Fast-Switching Power Transistor - D2PAK
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 2 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 2.82379
Menge. Stückpreis
1+: $2.82379
10+: $2.66395
100+: $2.51316
500+: $2.37091
1000+: $2.23671
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