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SG2803J-883B - Microchip Technology

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-SG2803J-883B

Hersteller Teil #: SG2803J-883B

Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays

Hersteller: Microchip Technology

Beschreibung: Trans Darlington NPN 50V 0.5A 18-Pin CDIP

Verpackung: CDIP

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

SG2803J-883B Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Lifecycle Status

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

Factory Lead Time

10 Weeks

Mount

Through Hole

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

CDIP

Number of Pins

Supplier Device Package

18-CDIP

Transistor Element Material

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

95V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.6V

Current-Collector (Ic) (Max)

500mA

Number of Elements

Operating Temperature

-55°C~125°C TA

Packaging

Tube

JESD-609 Code

Pbfree Code

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Terminal Finish

Tin/Lead (Sn/Pb)

Additional Feature

LOGIC LEVEL COMPATIBLE

Terminal Position

DUAL

Pin Count

Reference Standard

MIL

Polarity

NPN

Transistor Application

AMPLIFIER

Transistor Type

8 NPN Darlington

Collector Emitter Voltage (VCEO)

50V

Max Collector Current

500mA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 350mA 2V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500μA, 350mA

Radiation Hardening

RoHS Status

RoHS Compliant

Lead Free

Contains Lead

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

SG2803J-883B Preis
SG2803J-883B Verteilers
SG2803J-883B Hersteller
SG2803J-883B Technische Daten
SG2803J-883B PDF
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: Trans Darlington NPN 50V 0.5A 18-Pin CDIP

Verpackung: CDIP

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 483 Kann sofort geliefert werden

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