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PD55015-E - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-PD55015-E

Hersteller Teil #: PD55015-E

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - RF

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: STMICROELECTRONICS PD55015-E RF FET Transistor, 40 V, 5 A, 73 W, 480 MHz, 520 MHz, PowerSO-10RF

Verpackung: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

PD55015-E Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Factory Lead Time

25 Weeks

Mount

Surface Mount

Package / Case

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

Number of Pins

Number of Elements

Packaging

Tube

JESD-609 Code

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Terminal Finish

Matte Tin (Sn) - annealed

Max Operating Temperature

165°C

Min Operating Temperature

-65°C

Additional Feature

HIGH RELIABILITY

Max Power Dissipation

73W

Terminal Position

DUAL

Terminal Form

GULL WING

Peak Reflow Temperature (Cel)

250

Current Rating

Frequency

500MHz

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

Base Part Number

PD55015

Pin Count

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

73W

Case Connection

SOURCE

Current - Test

150mA

Transistor Application

AMPLIFIER

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Polarity/Channel Type

N-CHANNEL

Transistor Type

LDMOS

Continuous Drain Current (ID)

Gate to Source Voltage (Vgs)

20V

Max Output Power

15W

Drain Current-Max (Abs) (ID)

Drain to Source Breakdown Voltage

40V

Input Capacitance

89pF

FET Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Voltage - Test

12.5V

Min Breakdown Voltage

40V

Power Gain

14dB

Height

3.5mm

Length

7.5mm

Width

9.4mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
PD55015-E	PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	STMICROELECTRONICS PD55015-E RF FET Transistor, 40 V, 5 A, 73 W, 480 MHz, 520 MHz, PowerSO-10RF
FDS8949	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	ON SEMICONDUCTOR - FDS8949 - DUAL N CHANNEL MOSFET, 40V, SOIC, FULL REEL
FDS4897AC	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8SO
IRF7241TRPBF	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: STMICROELECTRONICS PD55015-E RF FET Transistor, 40 V, 5 A, 73 W, 480 MHz, 520 MHz, PowerSO-10RF

Verpackung: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 3200 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 18.25489

Menge.	Stückpreis
1+:	$18.25489
10+:	$17.22159
100+:	$16.24679
500+:	$15.32716
1000+:	$14.45958

Zwischensumme: $18.25489

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