PD55015-E - STMicroelectronics
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Kynix Teil #: KY13-PD55015-E
Hersteller Teil #: PD55015-E
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: STMICROELECTRONICS PD55015-E RF FET Transistor, 40 V, 5 A, 73 W, 480 MHz, 520 MHz, PowerSO-10RF
Verpackung: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
PD55015-E Datenblatt
PD55015-E Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Factory Lead Time
25 Weeks
Mount
Surface Mount
Package / Case
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Number of Pins
2
Number of Elements
1
Packaging
Tube
JESD-609 Code
e3
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
Number of Terminations
2
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Matte Tin (Sn) - annealed
Max Operating Temperature
165°C
Min Operating Temperature
-65°C
Additional Feature
HIGH RELIABILITY
Max Power Dissipation
73W
Terminal Position
DUAL
Terminal Form
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)
250
Current Rating
5A
Frequency
500MHz
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
30
Base Part Number
PD55015
Pin Count
10
Element Configuration
Single
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation
73W
Case Connection
SOURCE
Current - Test
150mA
Transistor Application
AMPLIFIER
Drain to Source Voltage (Vdss)
40V
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Transistor Type
LDMOS
Continuous Drain Current (ID)
5A
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Max Output Power
15W
Drain Current-Max (Abs) (ID)
5A
Drain to Source Breakdown Voltage
40V
Input Capacitance
89pF
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Voltage - Test
12.5V
Min Breakdown Voltage
40V
Power Gain
14dB
Height
3.5mm
Length
7.5mm
Width
9.4mm
REACH SVHC
No SVHC
Radiation Hardening
No
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Lead Free
Lead Free
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| Telefon | Teilenummer | Paket | Beschreibung |
|---|---|---|---|
| PD55015-E | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | STMICROELECTRONICS PD55015-E RF FET Transistor, 40 V, 5 A, 73 W, 480 MHz, 520 MHz, PowerSO-10RF | |
| FDS8949 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | ON SEMICONDUCTOR - FDS8949 - DUAL N CHANNEL MOSFET, 40V, SOIC, FULL REEL | |
| FDS4897AC | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8SO | |
| IRF7241TRPBF | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC |
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: STMICROELECTRONICS PD55015-E RF FET Transistor, 40 V, 5 A, 73 W, 480 MHz, 520 MHz, PowerSO-10RF
Verpackung: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt:
Datenblatt
Datenblatt
Lagerbestand: 3200 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 20.64745
| Menge. | Stückpreis |
|---|---|
| 1+: | $20.64745 |
| 10+: | $19.47872 |
| 100+: | $18.37615 |
| 500+: | $17.33599 |
| 1000+: | $16.35471 |
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Paket
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