PD84008S-E - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-PD84008S-E
Hersteller Teil #: PD84008S-E
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Verpackung: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Package / Case  
PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Mount  
Surface Mount
Number of Pins  
4
Number of Elements  
1
Packaging  
Tube
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
3 (168 Hours)
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
Max Operating Temperature  
165°C
Min Operating Temperature  
-65°C
Additional Feature  
HIGH RELIABILITY
Max Power Dissipation  
79W
Terminal Position  
DUAL
Terminal Form  
FLAT
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Current Rating  
7A
Frequency  
870MHz
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Base Part Number  
PD84008
Pin Count  
10
JESD-30 Code  
R-PDSO-F2
Qualification Status  
Not Qualified
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
79W
Case Connection  
SOURCE
Current - Test  
250mA
Transistor Application  
AMPLIFIER
Drain to Source Voltage (Vdss)  
25V
Transistor Type  
N-Channel
Continuous Drain Current (ID)  
7A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
15V
Gain  
16.2dB
Max Output Power  
8W
Drain Current-Max (Abs) (ID)  
7A
Drain to Source Breakdown Voltage  
25V
Power - Output  
2W
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Voltage - Test  
7.5V
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
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Häufig gestellte Fragen

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Verpackung: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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