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SD56120M - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-SD56120M

Hersteller Teil #: SD56120M

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - RF

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: Trans RF MOSFET N-CH 65V 14A 5-Pin Case M-252 Tube

Verpackung: M252

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

SD56120M Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Mount

Screw

Package / Case

M252

Number of Pins

Number of Elements

Packaging

Tube

Part Status

Obsolete

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Max Operating Temperature

200°C

Min Operating Temperature

-65°C

Voltage - Rated DC

65V

Max Power Dissipation

236W

Terminal Form

FLAT

Current Rating

14A

Frequency

860MHz

Base Part Number

SD56120

Pin Count

JESD-30 Code

R-PDFM-F4

Element Configuration

Dual

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

236W

Case Connection

SOURCE

Current - Test

400mA

Transistor Application

AMPLIFIER

Drain to Source Voltage (Vdss)

65V

Polarity/Channel Type

N-CHANNEL

Transistor Type

LDMOS

Continuous Drain Current (ID)

14A

Gate to Source Voltage (Vgs)

20V

Gain

16dB

Max Output Power

120W

Drain to Source Breakdown Voltage

65V

Input Capacitance

221pF

FET Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Voltage - Test

32V

Min Breakdown Voltage

65V

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: Trans RF MOSFET N-CH 65V 14A 5-Pin Case M-252 Tube

Verpackung: M252

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 589 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: aufrufen

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