SD2900 - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-SD2900
Hersteller Teil #: SD2900
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: Trans RF MOSFET N-CH 65V 0.9A 4-Pin Case M-113
Verpackung: M113
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount  
Screw
Package / Case  
M113
Number of Pins  
113
Number of Elements  
1
Packaging  
Bulk
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
4
ECCN Code  
EAR99
Max Operating Temperature  
150°C
Min Operating Temperature  
-65°C
Voltage - Rated DC  
65V
Max Power Dissipation  
21.9W
Terminal Position  
RADIAL
Terminal Form  
FLAT
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Current Rating  
900mA
Frequency  
400MHz
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Base Part Number  
SD2900
Pin Count  
4
JESD-30 Code  
O-PRFM-F4
Qualification Status  
Not Qualified
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
21.9W
Current - Test  
50mA
Transistor Application  
AMPLIFIER
Drain to Source Voltage (Vdss)  
65V
Transistor Type  
N-Channel
Continuous Drain Current (ID)  
900mA
Gate to Source Voltage (Vgs)  
20V
Gain  
16dB
Max Output Power  
5W
Drain Current-Max (Abs) (ID)  
0.9A
Drain to Source Breakdown Voltage  
65V
Input Capacitance  
8.5pF
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Voltage - Test  
28V
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Trans RF MOSFET N-CH 65V 0.9A 4-Pin Case M-113
Verpackung: M113
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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