PD85035TR-E - STMicroelectronics
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Kynix Teil #: KY13-PD85035TR-E
Hersteller Teil #: PD85035TR-E
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Verpackung: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
PD85035TR-E Datenblatt
PD85035TR-E Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time
25 Weeks
Package / Case
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Surface Mount
YES
Number of Pins
3
Transistor Element Material
SILICON
Number of Elements
1
Packaging
Tape & Reel (TR)
Pbfree Code
yes
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
Number of Terminations
2
ECCN Code
EAR99
Max Operating Temperature
150°C
Max Power Dissipation
95W
Terminal Position
DUAL
Terminal Form
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Current Rating
8A
Frequency
870MHz
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Base Part Number
PD85035
Pin Count
10
JESD-30 Code
R-PDSO-G2
Qualification Status
Not Qualified
Element Configuration
Single
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation
95W
Case Connection
SOURCE
Current - Test
350mA
Transistor Application
AMPLIFIER
Drain to Source Voltage (Vdss)
40V
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Transistor Type
LDMOS
Continuous Drain Current (ID)
8A
Gate to Source Voltage (Vgs)
15V
Gain
17dB
Drain Current-Max (Abs) (ID)
8A
Drain to Source Breakdown Voltage
40V
Power - Output
15W
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Voltage - Test
13.6V
RoHS Status
ROHS3 Compliant
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
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Produktkategorie:
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Verpackung: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
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Datenblatt:
Datenblatt
Datenblatt
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Paket
Schritt1 Produkt
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Schritt4 Verpackungskartons
Schritt5 Barcode-Versandetikett
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