PD85006-E - STMicroelectronics
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Kynix Teil #: KY13-PD85006-E
Hersteller Teil #: PD85006-E
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: Trans RF MOSFET N-CH 40V 2A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
Verpackung: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
PD85006-E Datenblatt
PD85006-E Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Factory Lead Time
11 Weeks
Mount
Surface Mount
Package / Case
PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Number of Pins
3
Number of Elements
1
Packaging
Tube
JESD-609 Code
e3
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
Number of Terminations
2
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Matte Tin (Sn) - annealed
Max Operating Temperature
165°C
Min Operating Temperature
-65°C
Additional Feature
HIGH RELIABILITY
Max Power Dissipation
36.5W
Terminal Position
DUAL
Terminal Form
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)
250
Reach Compliance Code
not_compliant
Current Rating
2A
Frequency
870MHz
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Base Part Number
PD85006
Pin Count
10
JESD-30 Code
R-PDSO-G2
Qualification Status
Not Qualified
Element Configuration
Single
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation
36.5W
Case Connection
SOURCE
Current - Test
200mA
Transistor Application
AMPLIFIER
Drain to Source Voltage (Vdss)
40V
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Transistor Type
LDMOS
Continuous Drain Current (ID)
2A
Gate to Source Voltage (Vgs)
15V
Gain
17dB
Max Output Power
6W
Drain Current-Max (Abs) (ID)
2A
Drain to Source Breakdown Voltage
40V
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Voltage - Test
13.6V
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Suche nach Teilenummer:PD85006-E Enthaltenes Wort ist 5
| Telefon | Teilenummer | Paket | Beschreibung |
|---|---|---|---|
| PD85006-E | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | Trans RF MOSFET N-CH 40V 2A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube | |
| NIF9N05CLT1G | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET N-CH 59V 2.6A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | |
| PD55003-E | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 | |
| PD55003L-E | 8-PowerVDFN | TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT | |
| PD55003S-E | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 |
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Trans RF MOSFET N-CH 40V 2A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
Verpackung: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt:
Datenblatt
Datenblatt
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