PD85006TR-E - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-PD85006TR-E
Hersteller Teil #: PD85006TR-E
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: FET RF 40V 870MHZ POWERSO-10RF
Verpackung: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount  
Surface Mount
Package / Case  
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Number of Pins  
3
Number of Elements  
1
Packaging  
Cut Tape (CT)
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Discontinued
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
3 (168 Hours)
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn) - annealed
Max Operating Temperature  
150°C
Min Operating Temperature  
-65°C
Additional Feature  
HIGH RELIABILITY
Max Power Dissipation  
36.5W
Terminal Position  
DUAL
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
250
Reach Compliance Code  
not_compliant
Current Rating  
2A
Frequency  
870MHz
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Base Part Number  
PD85006
Pin Count  
10
JESD-30 Code  
R-PDSO-G2
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
36.5W
Case Connection  
SOURCE
Current - Test  
200mA
Transistor Application  
AMPLIFIER
Drain to Source Voltage (Vdss)  
40V
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
Transistor Type  
LDMOS
Continuous Drain Current (ID)  
2A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
15V
Gain  
17dB
Drain Current-Max (Abs) (ID)  
2A
Drain to Source Breakdown Voltage  
40V
Power - Output  
5W
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Voltage - Test  
13.6V
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: FET RF 40V 870MHZ POWERSO-10RF
Verpackung: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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