MMBF5484 - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-MMBF5484
Hersteller Teil #: MMBF5484
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MMBF5484 Series 25 V 400 MHz SMT N-Channel RF Amplifier - SOT-23-3
Verpackung: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Factory Lead Time  
16 Weeks
Contact Plating  
Tin
Mount  
Surface Mount
Package / Case  
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Number of Pins  
3
Weight  
30mg
Breakdown Voltage / V  
-25V
Number of Elements  
1
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Published  
2008
JESD-609 Code  
e3
Pbfree Code  
yes
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
3
ECCN Code  
EAR99
Max Operating Temperature  
150°C
Min Operating Temperature  
-55°C
HTS Code  
8541.21.00.95
Voltage - Rated DC  
25V
Max Power Dissipation  
225mW
Terminal Position  
DUAL
Terminal Form  
GULL WING
Current Rating  
10mA
Frequency  
400MHz
Base Part Number  
MBF5484
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
DEPLETION MODE
Power Dissipation  
225mW
Output Power  
225mW
Transistor Application  
AMPLIFIER
Transistor Type  
N-Channel JFET
Continuous Drain Current (ID)  
5mA
Gate to Source Voltage (Vgs)  
-25V
FET Technology  
JUNCTION
Noise Figure  
4dB
Voltage - Test  
15V
Feedback Cap-Max (Crss)  
1 pF
Min Breakdown Voltage  
25V
Height  
930μm
Length  
2.92mm
Width  
1.3mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:MMBF5484 Enthaltenes Wort ist 5
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
MMBF5484 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBF5484 Series 25 V 400 MHz SMT N-Channel RF Amplifier - SOT-23-3
MMBF4416 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 IC AMP RF N-CHANNEL SOT-23
PMBF4391,215 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 JFET N-CH 40V 250MW SOT23
MMBFJ202 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 JFET N-CH 40V 350MW SOT23
MMBF5460 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 JFET P-CH 40V 0.225W SOT23
Verwandte Teile in MMBF5484
MMBF5484 Verwandtes Stichwort.
  • MMBF5484 Preis
  • MMBF5484 Verteilers
  • MMBF5484 Hersteller
  • MMBF5484 Technische Daten
  • MMBF5484 PDF
  • MMBF5484 Datenblätter
  • MMBF5484 Bild
  • MMBF5484 Foto
  • MMBF5484 Teil
  • MMBF5484 Lagerbestand
  • MMBF5484 Inventar
  • MMBF5484 Angebotsanfrage
  • Kaufen MMBF5484
  • MMBF5484 Anfrage
  • MMBF5484 Onlinebestellung
Häufig gestellte Fragen

What is the source of the N-Channel RF Amplifier?

Process 50

What is N-channel in JFET?

Because the channel produced between the source and the drain is n-type, electrons will be the majority charge carriers in n-channel JFETs. Furthermore, the operation of these devices is dependent on the voltages applied to their terminals.

In which region JFET works as an amplifier?

The common source JFET amplifier's input signal (Vin) is applied between the Gate terminal and the zero volts rail (0v). When the gate voltage Vg is held constant, the JFET behaves as a linear resistive device in its "Ohmic zone." The load resistor, Rd, is located in the drain circuit.

How can we use FET as an amplifier?

A FET amplifier employs one or more field-effect transistors (FETs). The MOSFET amplifier, which employs metal-oxide-semiconductor FETs, is the most popular form of FET amplifier (MOSFETs). The fundamental benefit of using a FET for amplification is that it has a very high input impedance and a very low output impedance.

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MMBF5484 Series 25 V 400 MHz SMT N-Channel RF Amplifier - SOT-23-3
Verpackung: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 51000 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 0.35218
Menge. Stückpreis
1+: $0.35218
10+: $0.33224
100+: $0.31343
500+: $0.29569
1000+: $0.27896
Zwischensumme: $0.35218

Sie haben nicht den gewünschten Preis?
Füllen Sie die Formulare aus und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Zahlungsmethode

Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Bei einer Überweisung fallen US$30,00 Bankgebühren an.
Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Western Union erhebt eine Bankgebühr von US$0.00.

VERSANDKOSTEN

DHL(www.dhl.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
UPS(www.ups.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
FedEx(www.fedex.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
Einschreiben(www.singpost.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

Paket

Schritt1 Produkt
Schritt2 Gehäuse Drivepipe
Schritt3 Antistatikbeutel
Schritt4 Verpackungskartons
Schritt5 Barcode-Versandetikett

Neueste Produkte


Transistors - FETs, MOSFETs - RF

Transistors - FETs, MOSFETs - RF

Transistors - FETs, MOSFETs - RF
DC333A-A
Analog Devices Inc.
DC333A-A
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - RF
DC644A
Analog Devices Inc.
LT5520EUF UPCON MIXER DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - RF
DC945A
Analog Devices Inc.
LT5572EUF DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - RF
DC1431A-C
Analog Devices Inc.
LTC5542IUH DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - RF
G5S12010PM
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO247AC
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - RF
G5S6504Z
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 650V 15.45A 8DFN
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - RF
G4S06516BT
Global Power Technology-GPT
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 16A 3-PI
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - RF
G3S06520A
Global Power Technology-GPT
DIODE SIC 650V 56.5A TO220AC
Mehr erfahren