A2C35S12M3 - STMicroelectronics
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Kynix Teil #: KY13-A2C35S12M3
Hersteller Teil #: A2C35S12M3
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: IGBT MOD 1200V 35A 250W ACEPACK2
Verpackung: Module
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
A2C35S12M3 Datenblatt
A2C35S12M3 Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Surface Mount
NO
Transistor Element Material
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
35A
Number of Elements
6
Operating Temperature
-40°C~150°C TJ
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Number of Terminations
35
Terminal Position
UPPER
Terminal Form
UNSPECIFIED
Base Part Number
A2C35S12
JESD-30 Code
R-XUFM-X35
Configuration
Three Phase Inverter with Brake
Power - Max
250W
Transistor Application
POWER CONTROL
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Input
Three Phase Bridge Rectifier
Current - Collector Cutoff (Max)
100μA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Power Dissipation-Max (Abs)
250W
Turn On Time
170 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.45V @ 15V, 35A
Turn Off Time-Nom (toff)
364 ns
IGBT Type
Trench Field Stop
NTC Thermistor
Yes
Gate-Emitter Voltage-Max
20V
Input Capacitance (Cies) @ Vce
2154pF @ 25V
VCEsat-Max
2.45 V
Gate-Emitter Thr Voltage-Max
7V
RoHS Status
Non-RoHS Compliant
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
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Produktkategorie:
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Verpackung: Module
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt:
Datenblatt
Datenblatt
Lagerbestand: 612 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 43.66575
| Menge. | Stückpreis |
|---|---|
| 1+: | $43.66575 |
| 10+: | $41.19410 |
| 100+: | $38.86236 |
| 500+: | $36.66261 |
| 1000+: | $34.58736 |
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