STGW60H65F - STMicroelectronics
Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KY13-STGW60H65F
Hersteller Teil #: STGW60H65F
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: IGBT Transistors 60A 650V FST IGBT Very High Switching
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
STGW60H65F Datenblatt
STGW60H65F Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount
Through Hole
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
Weight
6.500007g
Transistor Element Material
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
650V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.9V
Number of Elements
1
Test Conditions
400V, 60A, 10 Ω, 15V
Turn Off Delay Time
210 ns
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Packaging
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Number of Terminations
3
ECCN Code
EAR99
Max Power Dissipation
360W
Base Part Number
STGW60
Pin Count
3
JESD-30 Code
R-PSFM-T3
Element Configuration
Single
Input Type
Standard
Turn On Delay Time
65 ns
Power - Max
360W
Transistor Application
POWER CONTROL
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO)
600V
Max Collector Current
120A
Turn On Time
96 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 60A
Turn Off Time-Nom (toff)
265 ns
IGBT Type
Trench Field Stop
Gate Charge
217nC
Current - Collector Pulsed (Icm)
240A
Td (on/off) @ 25°C
65ns/180ns
Switching Energy
750μJ (on), 1.05mJ (off)
Gate-Emitter Voltage-Max
20V
Radiation Hardening
No
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Lead Free
Lead Free
Suche nach Teilenummer:STGW60H65F Enthaltenes Wort ist 5
| Telefon | Teilenummer | Paket | Beschreibung |
|---|---|---|---|
| STGW60H65F | TO-247-3 | IGBT Transistors 60A 650V FST IGBT Very High Switching | |
| FGH60N60SMD | TO-247-3 | IGBT 600V 120A 600W TO247 | |
| STGW80H65DFB | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube | |
| FGH75T65SHDTL4 | TO-247-4 | IGBT Transistors FS3 TIGBT Excellent switching performan | |
| IGW75N65H5XKSA1 | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin TO-247 Tube |
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What is an IGBT developed using?
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What new series of IGBTs represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter?
HB
How many Abr>• Tight parameters distributionbr>• Safe parallelingbr>• Low thermal resistancebr
60
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: IGBT Transistors 60A 650V FST IGBT Very High Switching
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt:
Datenblatt
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